FET, MOSFET

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
BS170-D26Z

BS170-D26Z

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

128,646
RFQ
BS170-D26ZТехнический паспорт - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 500mA (Ta) 10V 5Ohm @ 200mA, 10V 3V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 10 V - 830mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
5HP01M-TL-E-FS

5HP01M-TL-E-FS

MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3

Fairchild Semiconductor

45,000
RFQ
5HP01M-TL-E-FSТехнический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDG314P

FDG314P

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88

Fairchild Semiconductor

335,960
RFQ
FDG314PТехнический паспорт - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 650mA (Ta) 2.7V, 4.5V 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.5 nC @ 4.5 V ±8V 63 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
SSP1N60A

SSP1N60A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

5,115
RFQ
SSP1N60AТехнический паспорт - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 12Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 190 pF @ 25 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRFU310BTU

IRFU310BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

99,810
RFQ
IRFU310BTUТехнический паспорт - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 850mA,10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 330 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
SSU1N60BTU

SSU1N60BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

25,769
RFQ
SSU1N60BTUТехнический паспорт - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 900mA (Tc) 10V 12Ohm @ 450mA, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±30V 215 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRFI614BTUFP001

IRFI614BTUFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3,000
RFQ
IRFI614BTUFP001Технический паспорт - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.8A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 10.5 nC @ 10 V ±30V 275 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
IRFR310BTF

IRFR310BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,215
RFQ
IRFR310BTFТехнический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 850mA,10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 330 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SFR9214TF

SFR9214TF

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

49,206
RFQ
SFR9214TFТехнический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.53A (Tc) 10V 4Ohm @ 770mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 295 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
SI3442DV

SI3442DV

MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6

Fairchild Semiconductor

32,796
RFQ
SI3442DVТехнический паспорт - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.1A (Ta) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 4.1A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V 8V 365 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
Total 1251 Record«Prev1234...126Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics