Диодные матрицы
| Фото | № детали производителя | Наличие | Количество | Технический паспорт | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Конфигурация диода | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Рабочая температура - Переход | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAV99DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
65,823 |
|
|
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | 1 Pair Series Connection | Standard | 70 V | 215mA | 1.25 V @ 150 mA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C ~ 150°C | - | - | Surface Mount | SOT-23 |
|
MMBD4148SEDIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
48,032 |
|
|
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | 1 Pair Series Connection | Standard | 75 V | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -55°C ~ 150°C | - | - | Surface Mount | SOT-23 |
|
AS3D020120P2DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
100 |
|
|
- | TO-247-3 | Bulk | Active | 1 Pair Common Cathode | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 30A (DC) | 1.8 V @ 15 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55°C ~ 175°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
AS3D030120P2DIODE ARR SIC 1200V 42A TO247-3 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
30 |
|
|
- | TO-247-3 | Tube | Active | 1 Pair Common Cathode | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 42A | 1.8 V @ 15 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55°C ~ 175°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
AS3D040120P2DIODE ARR SIC 1200V 52A TO247-3 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
7,665 |
|
|
- | TO-247-3 | Active | 1 Pair Common Cathode | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 52A (DC) | 1.8 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55°C ~ 175°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
