Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
S6J

S6J

DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,598
RFQ
S6JТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6JR

S6JR

DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,449
RFQ
S6JRТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6K

S6K

DIODE GEN PURP 800V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,452
RFQ
S6KТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6KR

S6KR

DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,912
RFQ
S6KRТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6M

S6M

DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,205
RFQ
S6MТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6MR

S6MR

DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,290
RFQ
S6MRТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6Q

S6Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,837
RFQ
S6QТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6QR

S6QR

DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,316
RFQ
S6QRТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
GC05MPS12-220

GC05MPS12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

3,581
RFQ
GC05MPS12-220Технический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 29A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 4 µA @ 1200 V 359pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GC10MPS12-220

GC10MPS12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

3,074
RFQ
GC10MPS12-220Технический паспорт SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 660pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
Total 775 Record«Prev1... 7891011121314...78Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics