Одиночные диоды
| Фото | № детали производителя | Наличие | Количество | Технический паспорт | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
G3S06503ADIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Global Power Technology-GPT |
390 |
|
|
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 11.5A | 1.7 V @ 3 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
|
G3S06504CDIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252 Global Power Technology-GPT |
3,978 |
|
|
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 11.5A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252 | -55°C ~ 175°C | |
|
G3S06504ADIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Global Power Technology-GPT |
13 |
|
|
- | TO-220-2 | Cut Tape (CT) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 11.5A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
