Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
IDH10G65C6XKSA1

IDH10G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Infineon Technologies

869
RFQ
IDH10G65C6XKSA1Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 420 V 495pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDW75D65D1XKSA1

IDW75D65D1XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3

Infineon Technologies

2,129
RFQ
IDW75D65D1XKSA1Технический паспорт - TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 150A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 108 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2

Infineon Technologies

4,234
RFQ
IDM10G120C5XTMA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 38A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 12 V 29pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 150°C
IDH10G120C5XKSA1

IDH10G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1

Infineon Technologies

1,175
RFQ
IDH10G120C5XKSA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 1200 V 525pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10

Infineon Technologies

4,841
RFQ
IDDD16G65C6XTMA1Технический паспорт CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
IDH16G65C6XKSA1

IDH16G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2

Infineon Technologies

3,011
RFQ
IDH16G65C6XKSA1Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A 1.35 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1

IDH20G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2

Infineon Technologies

1,342
RFQ
IDH20G65C6XKSA1Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 41A 1.35 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G65C5XKSA2

IDH20G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1

Infineon Technologies

864
RFQ
IDH20G65C5XKSA2Технический паспорт CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
IDW20G65C5XKSA1

IDW20G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

270
RFQ
IDW20G65C5XKSA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
IDH20G120C5XKSA1

IDH20G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1

Infineon Technologies

974
RFQ
IDH20G120C5XKSA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
Total 685 Record«Prev12345...69Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics