Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
65DN06B02ELEMXPSA1

65DN06B02ELEMXPSA1

DIODE GP 600V 15130A D-ELEM-1

Infineon Technologies

19
RFQ
65DN06B02ELEMXPSA1Технический паспорт - DO-200AC, K-PUK Bulk Active Standard 600 V 15130A 890 mV @ 8000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 600 V - - - Clamp On BG-D-ELEM-1 180°C (Max)
IDH06SG60CXKSA2

IDH06SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-1

Infineon Technologies

37
RFQ
IDH06SG60CXKSA2Технический паспорт CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 2.3 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
46DN06B02ELEMXPSA1

46DN06B02ELEMXPSA1

DIODE GP 600V 10450A D-ELEM-1

Infineon Technologies

5
RFQ
46DN06B02ELEMXPSA1Технический паспорт - DO-200AC, K-PUK Bulk Active Standard 600 V 10450A 980 mV @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 600 V - - - Clamp On BG-D-ELEM-1 180°C (Max)
IDYH10G200C5XKSA1

IDYH10G200C5XKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

47
RFQ
IDYH10G200C5XKSA1Технический паспорт CoolSiC™ TO-247-4 Variant Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 2000 V 35A 1.75 V @ 10 A - - 150 µA @ 2000 V 1140pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole PG-TO247-U04 -55°C ~ 175°C
IDYH25G200C5XKSA1

IDYH25G200C5XKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

56
RFQ
IDYH25G200C5XKSA1Технический паспорт CoolSiC™ TO-247-4 Variant Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 2000 V 77A 1.75 V @ 25 A - - 375 µA @ 2000 V 1140pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole PG-TO247-U04 -55°C ~ 175°C
IDYH40G200C5XKSA1

IDYH40G200C5XKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

66
RFQ
IDYH40G200C5XKSA1Технический паспорт CoolSiC™ TO-247-4 Variant Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 2000 V 114A 1.75 V @ 40 A - - 600 µA @ 2000 V 4550pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole PG-TO247-U04 -55°C ~ 175°C
ND89N12KHPSA1

ND89N12KHPSA1

DIODE GEN PURP 1.2KV 89A PB20-1

Infineon Technologies

16
RFQ
ND89N12KHPSA1Технический паспорт - Module Tray Active Standard 1200 V 89A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount BG-PB20-1 -40°C ~ 135°C
ND89N16KHPSA1

ND89N16KHPSA1

DIODE GEN PURP 1.6KV 89A PB20-1

Infineon Technologies

11
RFQ
ND89N16KHPSA1Технический паспорт - Module Tray Active Standard 1600 V 89A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 1600 V - - - Chassis Mount BG-PB20-1 -40°C ~ 135°C
D1800N48TVFXPSA1

D1800N48TVFXPSA1

DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A

Infineon Technologies

8
RFQ
D1800N48TVFXPSA1Технический паспорт - DO-200AC, K-PUK Tray Active Standard 4800 V 1800A 1.32 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 4800 V - - - Clamp On - -40°C ~ 160°C
DZ1070N22KHPSA3

DZ1070N22KHPSA3

DIODE GP 2.2KV 1100A MODULE

Infineon Technologies

2
RFQ
DZ1070N22KHPSA3Технический паспорт - Module Tray Active Standard 2200 V 1100A 1.11 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 2200 V - - - Chassis Mount Module -40°C ~ 150°C
Total 685 Record«Prev1... 2021222324252627...69Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics