Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
IDH03G65C5XKSA2

IDH03G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1

Infineon Technologies

9,187
RFQ
IDH03G65C5XKSA2Технический паспорт CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 3A 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 100pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
IDDD06G65C6XTMA1

IDDD06G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 18A HDSOP-10

Infineon Technologies

7,877
RFQ
IDDD06G65C6XTMA1Технический паспорт CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 420 V 302pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
SIDC03D120H6X1SA3

SIDC03D120H6X1SA3

DIODE GP 1.2KV 3A WAFER

Infineon Technologies

2,798
RFQ
SIDC03D120H6X1SA3Технический паспорт - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 3A 1.6 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
IDK05G65C5XTMA2

IDK05G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 5A TO263-2

Infineon Technologies

4,039
RFQ
IDK05G65C5XTMA2Технический паспорт CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 830 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
IDV03S60CXKSA1

IDV03S60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2FP

Infineon Technologies

9,303
RFQ
IDV03S60CXKSA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 3A 1.9 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 600 V 90pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 Full Pack -55°C ~ 175°C
IDH05G65C5XKSA2

IDH05G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 5A TO220-2

Infineon Technologies

6,983
RFQ
IDH05G65C5XKSA2Технический паспорт CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
GLHUELSE1626XPSA1

GLHUELSE1626XPSA1

DUMMY 57

Infineon Technologies

3,936
RFQ
GLHUELSE1626XPSA1Технический паспорт - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
GLHUELSE1627XPSA1

GLHUELSE1627XPSA1

DUMMY 57

Infineon Technologies

2,798
RFQ
GLHUELSE1627XPSA1Технический паспорт - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
IDP23013XUMA1

IDP23013XUMA1

IC AC/DC DGTL PLATFORM 16SOIC

Infineon Technologies

2,820
RFQ
IDP23013XUMA1Технический паспорт * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
SIDC09D60E6 UNSAWN

SIDC09D60E6 UNSAWN

DIODE GP 600V 20A WAFER

Infineon Technologies

6,182
RFQ
SIDC09D60E6 UNSAWNТехнический паспорт - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 20A 1.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
Total 685 Record«Prev1... 2627282930313233...69Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics