Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
SIDC78D170HX1SA1

SIDC78D170HX1SA1

DIODE GP 1.7KV 150A WAFER

Infineon Technologies

9,675
RFQ
SIDC78D170HX1SA1Технический паспорт - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1700 V 150A 1.8 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1700 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

DIODE GP 1.7KV 150A WAFER

Infineon Technologies

6,274
RFQ
SIDC85D170HX1SA2Технический паспорт - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1700 V 150A 1.8 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1700 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
IDY15S120XKSA1

IDY15S120XKSA1

DIODE SIC 1.2KV 7.5A TO247HC-3

Infineon Technologies

6,713
RFQ
IDY15S120XKSA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-247-3 Variant Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 7.5A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 1200 V 375pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247HC-3 -55°C ~ 150°C
SIDC105D120H8X1SA1

SIDC105D120H8X1SA1

DIODE GP 1.2KV 200A WAFER

Infineon Technologies

3,299
RFQ
SIDC105D120H8X1SA1Технический паспорт - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 200A 1.41 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Sawn on foil -40°C ~ 175°C
IDC20S120C5X1SA1

IDC20S120C5X1SA1

IC DIODE EMITTER CTLR WAFER

Infineon Technologies

3,339
RFQ
IDC20S120C5X1SA1Технический паспорт - Die Bulk Active - - - - - - - - - - Surface Mount Sawn on foil -
GATELEAD28133HPSA1

GATELEAD28133HPSA1

ACCY GATE LEAD FOR MODULE

Infineon Technologies

4,316
RFQ
GATELEAD28133HPSA1Технический паспорт * - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
SIDC110D170HX1SA2

SIDC110D170HX1SA2

DIODE GP 1.7KV 200A WAFER

Infineon Technologies

5,521
RFQ
SIDC110D170HX1SA2Технический паспорт - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1700 V 200A 1.8 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1700 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
GLPB3460G1K1457XPSA1

GLPB3460G1K1457XPSA1

THYR / DIODE MODULE DK

Infineon Technologies

9,742
RFQ
GLPB3460G1K1457XPSA1Технический паспорт - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
SIDC161D170HX1SA2

SIDC161D170HX1SA2

DIODE GP 1.7KV 300A WAFER

Infineon Technologies

8,679
RFQ
SIDC161D170HX1SA2Технический паспорт - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1700 V 300A 1.8 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1700 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
GATELEAD1110008XPSA1

GATELEAD1110008XPSA1

HIGH POWER THYR / DIO

Infineon Technologies

7,729
RFQ
GATELEAD1110008XPSA1Технический паспорт - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
Total 685 Record«Prev1... 3132333435363738...69Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics