Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
JANTX1N5552/TR

JANTX1N5552/TR

DIODE GEN PURP 600V 5A

Microchip Technology

2,224
RFQ
JANTX1N5552/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 5A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5550

JAN1N5550

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,610
RFQ
JAN1N5550Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5551

JAN1N5551

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Microchip Technology

8,379
RFQ
JAN1N5551Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N6643

JAN1N6643

DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Microchip Technology

4,064
RFQ
JAN1N6643Технический паспорт - D, Axial Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
JAN1N5418/TR

JAN1N5418/TR

DIODE GEN PURP 400V 3A

Microchip Technology

9,185
RFQ
JAN1N5418/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
PCFFS08120AF

PCFFS08120AF

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 20A DIE

onsemi

7,731
RFQ
PCFFS08120AFТехнический паспорт - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.723 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
CD485B

CD485B

DIODE GEN PURP 200V 200MA DIE

Microchip Technology

9,104
RFQ
CD485BТехнический паспорт - Die Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 180 V - - - Surface Mount Die -65°C ~ 175°C
CD483B

CD483B

DIODE GEN PURP 80V 200MA DIE

Microchip Technology

4,326
RFQ
CD483BТехнический паспорт - Die Tape & Reel (TR) Active Standard 80 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 70 V - - - Surface Mount Die -65°C ~ 175°C
CD486B

CD486B

DIODE GEN PURP 250V 200MA DIE

Microchip Technology

8,318
RFQ
CD486BТехнический паспорт - Die Tape & Reel (TR) Active Standard 250 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 225 V - - - Surface Mount Die -65°C ~ 175°C
1N5818/TR

1N5818/TR

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41

Microchip Technology

2,611
RFQ
1N5818/TRТехнический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 30 V 1A 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 30 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
1N5818-1/TR

1N5818-1/TR

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41

Microchip Technology

2,104
RFQ
1N5818-1/TRТехнический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 30 V - - - Through Hole DO-41 -
60CPF12

60CPF12

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,688
RFQ
60CPF12Технический паспорт - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1200 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
60EPF12

60EPF12

DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,130
RFQ
60EPF12Технический паспорт - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
85EPF04

85EPF04

DIODE GEN PURP 400V 85A POWIRTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,584
RFQ
85EPF04Технический паспорт - PowerTab™, PowIRtab™ Bulk Obsolete Standard 400 V 85A 1.3 V @ 85 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 190 ns 100 µA @ 400 V - - - Chassis Mount PowIRtab™ -40°C ~ 150°C
1N3957

1N3957

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Microchip Technology

6,529
RFQ
1N3957Технический паспорт - A, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1000 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 1000 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N6642US/TR

JAN1N6642US/TR

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

3,896
RFQ
JAN1N6642US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 40pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N5817E3

1N5817E3

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41

Microchip Technology

5,891
RFQ
1N5817E3Технический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 20 V 1A 450 mV @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 1 mA @ 20 V - - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C
1N5552E3/TR

1N5552E3/TR

STD RECTIFIER

Microchip Technology

7,769
RFQ
1N5552E3/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 5A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N6642U/TR

JAN1N6642U/TR

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

3,174
RFQ
JAN1N6642U/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V - Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N5817/TR

1N5817/TR

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41

Microchip Technology

6,563
RFQ
1N5817/TRТехнический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 1A 450 mV @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 1 mA @ 20 V - - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics