Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
VS-87HFR20

VS-87HFR20

DIODE GP REV 200V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,294
RFQ
VS-87HFR20Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
FR12K05

FR12K05

DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,436
RFQ
FR12K05Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12M05

FR12M05

DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,301
RFQ
FR12M05Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3595UR-1/TR

1N3595UR-1/TR

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

8,196
RFQ
1N3595UR-1/TRТехнический паспорт - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 150mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
JANTX1N5550/TR

JANTX1N5550/TR

DIODE GEN PURP 200V 5A

Microchip Technology

9,080
RFQ
JANTX1N5550/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 5A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DSA9-18F

DSA9-18F

DIODE AVAL 1.8KV 11A DO203AA

IXYS

2,809
RFQ
DSA9-18FТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Box Obsolete Avalanche 1800 V 11A 1.4 V @ 36 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 1800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA -40°C ~ 180°C
CDLL5822/TR

CDLL5822/TR

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

Microchip Technology

8,808
RFQ
CDLL5822/TRТехнический паспорт * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
CDLL5820/TR

CDLL5820/TR

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

Microchip Technology

9,611
RFQ
CDLL5820/TRТехнический паспорт * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
CDLL5821/TR

CDLL5821/TR

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

Microchip Technology

3,634
RFQ
CDLL5821/TRТехнический паспорт * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
SCS112AGC

SCS112AGC

DIODE SIL CARB 600V 12A TO220AC

Rohm Semiconductor

3,335
RFQ
SCS112AGCТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 600 V 516pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
FR12KR05

FR12KR05

DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,773
RFQ
FR12KR05Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12MR05

FR12MR05

DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,860
RFQ
FR12MR05Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
VS-87HF40

VS-87HF40

DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,981
RFQ
VS-87HF40Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-87HFR40

VS-87HFR40

DIODE GP REV 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,325
RFQ
VS-87HFR40Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

2,685
RFQ
JAN1N3595UR-1Технический паспорт - DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - Military MIL-PRF-19500/241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
JAN1N6639

JAN1N6639

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

4,449
RFQ
JAN1N6639Технический паспорт - D, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 300 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 75 V - Military MIL-PRF-19500/609 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
JAN1N6640

JAN1N6640

DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Microchip Technology

4,190
RFQ
JAN1N6640Технический паспорт - D, Axial Bulk Active Standard 50 V 300mA 1 V @ 300 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/609 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
JAN1N6641

JAN1N6641

DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Microchip Technology

5,603
RFQ
JAN1N6641Технический паспорт - D, Axial Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.1 V @ 300 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/609 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
JAN1N6642

JAN1N6642

DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Microchip Technology

5,447
RFQ
JAN1N6642Технический паспорт - D, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
JAN1N5415/TR

JAN1N5415/TR

DIODE GEN PURP 50V 3A

Microchip Technology

8,424
RFQ
JAN1N5415/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics