Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
1N1184R

1N1184R

DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

7,022
RFQ
1N1184RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1188R

1N1188R

DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,770
RFQ
1N1188RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1190

1N1190

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,784
RFQ
1N1190Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1188

1N1188

DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,610
RFQ
1N1188Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1190R

1N1190R

DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

9,701
RFQ
1N1190RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3768

1N3768

DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,674
RFQ
1N3768Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1183

1N1183

DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB

GeneSiC Semiconductor

3,266
RFQ
1N1183Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -65°C ~ 190°C
1N1183R

1N1183R

DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,309
RFQ
1N1183RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1186

1N1186

DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,748
RFQ
1N1186Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1186R

1N1186R

DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,814
RFQ
1N1186RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1187

1N1187

DIODE GEN PURP 300V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,826
RFQ
1N1187Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 300 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1187R

1N1187R

DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,687
RFQ
1N1187RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 300 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1189

1N1189

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,958
RFQ
1N1189Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1189R

1N1189R

DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,729
RFQ
1N1189RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3765

1N3765

DIODE GEN PURP 700V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,774
RFQ
1N3765Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 700 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3765R

1N3765R

DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,682
RFQ
1N3765RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 700 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3766

1N3766

DIODE GEN PURP 800V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,088
RFQ
1N3766Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3766R

1N3766R

DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,396
RFQ
1N3766RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3767

1N3767

DIODE GEN PURP 900V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,716
RFQ
1N3767Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 900 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N3767R

1N3767R

DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,391
RFQ
1N3767RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 900 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics