Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
1N5186

1N5186

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Microchip Technology

4,700
RFQ
1N5186Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 2 µA @ 100 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5187

1N5187

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,209
RFQ
1N5187Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 2 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5188

1N5188

DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,946
RFQ
1N5188Технический паспорт - B, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 400 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 2 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5189

1N5189

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,102
RFQ
1N5189Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 µA @ 500 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5190

1N5190

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

7,674
RFQ
1N5190Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 2 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5194

1N5194

DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Microchip Technology

2,066
RFQ
1N5194Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 70 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 70 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N5195

1N5195

DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35

Microchip Technology

9,305
RFQ
1N5195Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 180 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 180 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N5195UR

1N5195UR

DIODE GP 180V 200MA DO213AA

Microchip Technology

6,330
RFQ
1N5195URТехнический паспорт - DO-213AA Bulk Active Standard 180 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 180 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N5196

1N5196

DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35

Microchip Technology

9,736
RFQ
1N5196Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 225 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 225 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N5420E3

1N5420E3

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

3,691
RFQ
1N5420E3Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns - - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTXV1N3600

JANTXV1N3600

DIODE 50V 200MA DO7

Microchip Technology

3,245
RFQ
JANTXV1N3600Технический паспорт - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active - 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/231 Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
JAN1N5617US/TR

JAN1N5617US/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

Microchip Technology

3,156
RFQ
JAN1N5617US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/429 Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
1N5420/TR

1N5420/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

4,042
RFQ
1N5420/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 1 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6620/TR

1N6620/TR

DIODE GEN PURP 220V 1.2A

Microchip Technology

8,744
RFQ
1N6620/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 220 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6620E3

1N6620E3

DIODE GEN PURP 200V 1.2A A AXIAL

Microchip Technology

5,594
RFQ
1N6620E3Технический паспорт - Axial Bulk Active Standard 200 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
JANTXV1N5620/TR

JANTXV1N5620/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

7,740
RFQ
JANTXV1N5620/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
VS-72HFLR60S02

VS-72HFLR60S02

DIODE GP REV 600V 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,916
RFQ
VS-72HFLR60S02Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
1N6858-1

1N6858-1

SCHOTTKY RECTIFIER

Microchip Technology

2,360
RFQ
1N6858-1Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 70 V 75mA 650 mV @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 4.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
CD5820

CD5820

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DIE

Microchip Technology

6,056
RFQ
CD5820Технический паспорт - Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 3A 550 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Surface Mount Die -65°C ~ 125°C
S40Y

S40Y

DIODE GEN PURP 1.6KV 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,198
RFQ
S40YТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1600 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 160°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics