Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
JAN1N5420US/TR

JAN1N5420US/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

Microchip Technology

4,403
RFQ
JAN1N5420US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
JANTX1N4946

JANTX1N4946

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

9,508
RFQ
JANTX1N4946Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/359 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N4305-1

1N4305-1

DIODE SWITCHING

Microchip Technology

8,331
RFQ
1N4305-1Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N4255

1N4255

RECTIFIER DIODE

Microchip Technology

3,131
RFQ
1N4255Технический паспорт - S, Axial Bulk Active Standard 2000 V 250mA 3.5 V @ 100 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 2000 V - - - Through Hole S, Axial -65°C ~ 175°C
1N4256

1N4256

RECTIFIER DIODE

Microchip Technology

4,662
RFQ
1N4256Технический паспорт - S, Axial Bulk Active Standard 2500 V 250mA 3.5 V @ 100 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 2500 V - - - Through Hole S, Axial -65°C ~ 175°C
1N4257

1N4257

RECTIFIER DIODE

Microchip Technology

3,920
RFQ
1N4257Технический паспорт - S, Axial Bulk Active Standard 3000 V 250mA 3.5 V @ 100 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 3000 V - - - Through Hole S, Axial -65°C ~ 175°C
1N4305

1N4305

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO7

Microchip Technology

3,611
RFQ
1N4305Технический паспорт - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active Standard 75 V 200mA 850 mV @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 2 ns 100 nA @ 50 V - - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 150°C
SCS220KGC

SCS220KGC

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

Rohm Semiconductor

4,297
RFQ
SCS220KGCТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 1060pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
JANTXV1N5419

JANTXV1N5419

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Microchip Technology

8,654
RFQ
JANTXV1N5419Технический паспорт - B, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 500 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5711UR-1E3

1N5711UR-1E3

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

4,380
RFQ
1N5711UR-1E3Технический паспорт - DO-213AA Bulk Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
JANTX1N4946/TR

JANTX1N4946/TR

DIODE GEN PURP 600V 1A

Microchip Technology

9,936
RFQ
JANTX1N4946/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/359 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
DSI35-12A

DSI35-12A

DIODE AVAL 1.2KV 49A DO203AB

IXYS

2,541
RFQ
DSI35-12AТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Obsolete Avalanche 1200 V 49A 1.55 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DS35-12A

DS35-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 49A DO203AB

IXYS

4,899
RFQ
DS35-12AТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Standard 1200 V 49A 1.55 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
1N6627

1N6627

DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Microchip Technology

6,870
RFQ
1N6627Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 440 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 440 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
JAN1N6622

JAN1N6622

DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Microchip Technology

9,656
RFQ
JAN1N6622Технический паспорт - A, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 660 V 2A 1.6 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 660 V 10pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/585 Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
JANTXV1N5802

JANTXV1N5802

DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Microchip Technology

9,669
RFQ
JANTXV1N5802Технический паспорт - A, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 50 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 50 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N6621

JAN1N6621

DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Microchip Technology

9,378
RFQ
JAN1N6621Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 440 V 2A 1.6 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 440 V 10pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/585 Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
JAN1N6626

JAN1N6626

DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Microchip Technology

7,885
RFQ
JAN1N6626Технический паспорт - E, Axial Bulk Active Standard 220 V 1.75A 1.35 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
JAN1N6627

JAN1N6627

DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Microchip Technology

9,291
RFQ
JAN1N6627Технический паспорт - E, Axial Bulk Active Standard 440 V 1.75A 1.35 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 440 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
JAN1N6623

JAN1N6623

DIODE GEN PURP 800V 1A A-PAK

Microchip Technology

4,799
RFQ
JAN1N6623Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.55 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/585 Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics