Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
MBR7545R

MBR7545R

DIODE SCHOTTKY REV 45V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

7,926
RFQ
MBR7545RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 75A 650 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
MBR7560R

MBR7560R

DIODE SCHOTTKY REV 60V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,088
RFQ
MBR7560RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 60 V 75A 750 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 60 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
MBR7580R

MBR7580R

DIODE SCHOTTKY REV 80V 75A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,662
RFQ
MBR7580RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 80 V 75A 840 mV @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 80 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
UES1106E3

UES1106E3

RECTIFIER

Microchip Technology

3,048
RFQ
UES1106E3Технический паспорт - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
VS-86HF80M

VS-86HF80M

DIODE GP REV 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,256
RFQ
VS-86HF80MТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-86HFR80M

VS-86HFR80M

DIODE GP REV 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,134
RFQ
VS-86HFR80MТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
UES1102

UES1102

DIODE GEN PURP 100V 2A A AXIAL

Microchip Technology

5,904
RFQ
UES1102Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 175°C
VS-T40HFL60S02

VS-T40HFL60S02

DIODE GEN PURP 600V 40A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,120
RFQ
VS-T40HFL60S02Технический паспорт - D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 40A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 100 µA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
1N6076

1N6076

DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Microchip Technology

8,886
RFQ
1N6076Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 50 V 1.3A 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
1N6077

1N6077

DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Microchip Technology

6,073
RFQ
1N6077Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1.3A 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 155°C
1N4500

1N4500

DIODE GEN PURP DO35

Microchip Technology

9,707
RFQ
1N4500Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard - - 1.1 V @ 300 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 6 ns - - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
GATELEAD28133HPSA1

GATELEAD28133HPSA1

ACCY GATE LEAD FOR MODULE

Infineon Technologies

4,316
RFQ
GATELEAD28133HPSA1Технический паспорт * - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
UES1106/TR

UES1106/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

6,461
RFQ
UES1106/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
VS-T40HF120

VS-T40HF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,357
RFQ
VS-T40HF120Технический паспорт - D-55 T-Module Bulk Active Standard 1200 V 40A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount D-55 -
PCFFS50120AF

PCFFS50120AF

DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE

onsemi

9,404
RFQ
PCFFS50120AFТехнический паспорт - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.75 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
UES1106E3/TR

UES1106E3/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

8,948
RFQ
UES1106E3/TRТехнический паспорт - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
JANTXV1N6626

JANTXV1N6626

DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Microchip Technology

6,529
RFQ
JANTXV1N6626Технический паспорт - E, Axial Bulk Active Standard 220 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
VS-240NQ045PBF

VS-240NQ045PBF

DIODE SCHOTTKY 45V 240A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,801
RFQ
VS-240NQ045PBFТехнический паспорт - D-67 HALF-PAK Bulk Active Schottky 45 V 240A 720 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 45 V 14800pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
MBR80100R

MBR80100R

DIODE SCHOTTKY REV 100V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,418
RFQ
MBR80100RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 100 V 80A 840 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
MBR8020R

MBR8020R

DIODE SCHOTTKY REV 20V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,688
RFQ
MBR8020RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 20 V 80A 750 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics