Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
UES1002SM

UES1002SM

DIODE GEN PURP A AXIAL

Microchip Technology

4,567
RFQ
UES1002SMТехнический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard - - 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns - - - - Through Hole A, Axial -
UES1003SM

UES1003SM

RECTIFIER

Microchip Technology

9,766
RFQ
UES1003SMТехнический паспорт - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1003SM-1

UES1003SM-1

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

9,133
RFQ
UES1003SM-1Технический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 150 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1002SM-1

UES1002SM-1

DIODE GEN PURP 100V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,366
RFQ
UES1002SM-1Технический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1001SM

UES1001SM

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,433
RFQ
UES1001SMТехнический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
VS-T70HFL40S05

VS-T70HFL40S05

DIODE GEN PURP 400V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,067
RFQ
VS-T70HFL40S05Технический паспорт - D-55 T-Module Bulk Active Standard 400 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 400 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL60S05

VS-T70HFL60S05

DIODE GEN PURP 600V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,038
RFQ
VS-T70HFL60S05Технический паспорт - D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL10S10

VS-T70HFL10S10

DIODE GEN PURP 100V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,986
RFQ
VS-T70HFL10S10Технический паспорт - D-55 T-Module Bulk Active Standard 100 V 70A 1.73 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 20 mA @ 100 V - - - Chassis Mount D-55 -40°C ~ 125°C
UES1302E3

UES1302E3

DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL

Microchip Technology

6,819
RFQ
UES1302E3Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - - - Through Hole B, Axial 175°C
UES1301/TR

UES1301/TR

DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

Microchip Technology

7,137
RFQ
UES1301/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 175°C
UES1003SM/TR

UES1003SM/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

5,229
RFQ
UES1003SM/TRТехнический паспорт - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
UES1002SM/TR

UES1002SM/TR

DIODE GEN PURP A AXIAL

Microchip Technology

2,734
RFQ
UES1002SM/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard - - 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns - - - - Through Hole A, Axial -
UES1101SME3

UES1101SME3

DIODE GEN PURP 50V 2.5A A AXIAL

Microchip Technology

3,983
RFQ
UES1101SME3Технический паспорт - Axial Bulk Active Standard 50 V 2.5A 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Through Hole A, Axial 175°C
UES1002SM-1/TR

UES1002SM-1/TR

DIODE GEN PURP 100V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

9,712
RFQ
UES1002SM-1/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1001SM/TR

UES1001SM/TR

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,615
RFQ
UES1001SM/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1003SM-1/TR

UES1003SM-1/TR

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

5,937
RFQ
UES1003SM-1/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 150 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
VS-T70HFL80S05

VS-T70HFL80S05

DIODE GEN PURP 800V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,843
RFQ
VS-T70HFL80S05Технический паспорт - D-55 T-Module Bulk Active Standard 800 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 800 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL100S05

VS-T70HFL100S05

DIODE GEN PURP 1KV 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,404
RFQ
VS-T70HFL100S05Технический паспорт - D-55 T-Module Bulk Active Standard 1000 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 1000 V - - - Chassis Mount D-55 -
UES1105

UES1105

DIODE GEN PURP 300V 2A A AXIAL

Microchip Technology

7,490
RFQ
UES1105Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 300 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
UES1301

UES1301

DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

Microchip Technology

5,239
RFQ
UES1301Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 175°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics