Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
GKN130/18

GKN130/18

DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

4,882
RFQ
GKN130/18Технический паспорт - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 1800 V 165A 1.5 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 22 mA @ 1800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -55°C ~ 150°C
GKR130/16

GKR130/16

DIODE GP 1.6KV 165A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

4,233
RFQ
GKR130/16Технический паспорт - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 1600 V 165A 1.5 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 22 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 180°C
VS-HFA180NH40PBF

VS-HFA180NH40PBF

DIODE GEN PURP 400V 395A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,518
RFQ
VS-HFA180NH40PBFТехнический паспорт - D-67 HALF-PAK Bulk Active Standard 400 V 395A 1.8 V @ 360 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 140 ns 4 mA @ 400 V - - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
1N3649

1N3649

DIODE GEN PURP 800V DO203AA

Microchip Technology

7,895
RFQ
1N3649Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V - 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N3649R

1N3649R

DIODE GEN PURP 800V DO203AA

Microchip Technology

7,920
RFQ
1N3649RТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V - 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N3650

1N3650

DIODE GEN PURP DO203AA

Microchip Technology

5,917
RFQ
1N3650Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 3.3A 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -
1N3650R

1N3650R

DIODE GEN PURP DO203AA

Microchip Technology

3,827
RFQ
1N3650RТехнический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 3.3A 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -
GKR130/18

GKR130/18

DIODE GP REV 1.8KV 165A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

7,381
RFQ
GKR130/18Технический паспорт - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1800 V 165A 1.5 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 22 mA @ 1800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -55°C ~ 150°C
1N5331

1N5331

DIODE GEN PURP 1.4KV 22A DO4

Microchip Technology

7,427
RFQ
1N5331Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1400 V 22A 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 200°C
JAN1N5712UB

JAN1N5712UB

DIODE SCHOTTKY UB

Microchip Technology

4,990
RFQ
JAN1N5712UBТехнический паспорт - 4-SMD, No Lead Bulk Active Schottky - - 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - - 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB 150°C (Max)
UES1302/TR

UES1302/TR

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Microchip Technology

8,670
RFQ
UES1302/TRТехнический паспорт - Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - - - Through Hole Axial -55°C ~ 175°C
JAN1N5712UB/TR

JAN1N5712UB/TR

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

Microchip Technology

2,380
RFQ
JAN1N5712UB/TRТехнический паспорт - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active Schottky 16 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB -65°C ~ 150°C
JANKCE1N5804

JANKCE1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A DIE

Microchip Technology

7,893
RFQ
JANKCE1N5804Технический паспорт - Die Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount Die -65°C ~ 175°C
JANKCE1N5802

JANKCE1N5802

DIODE GEN PURP 50V 1A DIE

Microchip Technology

6,322
RFQ
JANKCE1N5802Технический паспорт - Die Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 50 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount Die -65°C ~ 175°C
GB50SLT12-247

GB50SLT12-247

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

5,935
RFQ
GB50SLT12-247Технический паспорт - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 1 mA @ 1200 V 2940pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
JANS1N6643

JANS1N6643

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D

Microchip Technology

8,706
RFQ
JANS1N6643Технический паспорт - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 500 nA @ 150 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
GATELEAD1110008XPSA1

GATELEAD1110008XPSA1

HIGH POWER THYR / DIO

Infineon Technologies

7,729
RFQ
GATELEAD1110008XPSA1Технический паспорт - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

STD THYR/DIODEN DISC

Infineon Technologies

2,525
RFQ
GATELEADMPWHPK1258XXPSA1Технический паспорт - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
GATELEADRD406XPSA1

GATELEADRD406XPSA1

STD THYR/DIODEN DISC

Infineon Technologies

3,440
RFQ
GATELEADRD406XPSA1Технический паспорт - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
GATELEADWH406XPSA1

GATELEADWH406XPSA1

STD THYR/DIODEN DISC

Infineon Technologies

7,626
RFQ
GATELEADWH406XPSA1Технический паспорт - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics