Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
S3580

S3580

DIODE GEN PURP 800V 70A DO5

Microchip Technology

6,802
RFQ
S3580Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 70A 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 800 V - - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
VS-150KS10

VS-150KS10

DIODE GEN PURP 100V 150A B-42

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,454
RFQ
VS-150KS10Технический паспорт - B-42 Bulk Obsolete Standard 100 V 150A 1.33 V @ 471 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 35 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount B-42 -40°C ~ 200°C
VS-45LR60

VS-45LR60

DIODE GP REV 600V 150A DO205AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,863
RFQ
VS-45LR60Технический паспорт - DO-205AC, DO-30, Stud Bulk Obsolete Standard, Reverse Polarity 600 V 150A 1.33 V @ 471 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-205AC (DO-30) -40°C ~ 200°C
R5100210XXWA

R5100210XXWA

DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Powerex Inc.

3,956
RFQ
R5100210XXWAТехнический паспорт - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Obsolete Standard 200 V 100A 1.55 V @ 470 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 7 µs 30 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -65°C ~ 200°C
GB50MPS17-247

GB50MPS17-247

DIODE SIL CARB 1.7KV 216A TO247

GeneSiC Semiconductor

8,188
RFQ
GB50MPS17-247Технический паспорт SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 216A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1700 V 3193pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5809URS/TR

1N5809URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

3,076
RFQ
1N5809URS/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5811URS/TR

1N5811URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

4,814
RFQ
1N5811URS/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5807URS/TR

1N5807URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

4,843
RFQ
1N5807URS/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
UES1106SM

UES1106SM

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

7,773
RFQ
UES1106SMТехнический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1105SM

UES1105SM

DIODE GEN PURP 300V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,336
RFQ
UES1105SMТехнический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 300 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1106SM-1

UES1106SM-1

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,362
RFQ
UES1106SM-1Технический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1104SM

UES1104SM

DIODE GEN PURP 200V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,802
RFQ
UES1104SMТехнический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 2A 1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 200 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
R35120

R35120

RECTIFIER

Microchip Technology

8,925
RFQ
R35120Технический паспорт R35 DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 70A 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
S35120

S35120

DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO5

Microchip Technology

2,221
RFQ
S35120Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 70A 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V - - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
1N6642UB2R

1N6642UB2R

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

6,328
RFQ
1N6642UB2RТехнический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1106SM/TR

UES1106SM/TR

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,978
RFQ
UES1106SM/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1105SM/TR

UES1105SM/TR

DIODE GEN PURP 300V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

5,908
RFQ
UES1105SM/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Surface Mount A, SQ-MELF -
UES1106SM-1/TR

UES1106SM-1/TR

DIODE GEN PURP 400V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,606
RFQ
UES1106SM-1/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
70UR120D

70UR120D

DIODE GP 1.2KV 250A DO205AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,306
RFQ
70UR120DТехнический паспорт - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Obsolete Standard 1200 V 250A 1.3 V @ 785 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 60 mA @ 1200 V - - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -40°C ~ 200°C
GB02SHT03-46

GB02SHT03-46

DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46

GeneSiC Semiconductor

4,712
RFQ
GB02SHT03-46Технический паспорт - TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 300 V 4A 1.6 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 300 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-46 -55°C ~ 225°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics