Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
PMEG6010ESBYL

PMEG6010ESBYL

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2

NXP Semiconductors

200,180
RFQ
PMEG6010ESBYLТехнический паспорт - 2-XDFN Bulk Active Schottky 60 V 1A 730 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2.4 ns 30 µA @ 60 V 20pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount DSN1006-2 150°C (Max)
PMEG6010ESBYL

PMEG6010ESBYL

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2

NXP USA Inc.

27,000
RFQ
PMEG6010ESBYLТехнический паспорт - 2-XDFN Bulk Active Schottky 60 V 1A 730 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2.4 ns 30 µA @ 60 V 20pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount DSN1006-2 150°C (Max)
PMEG2010BELD,315

PMEG2010BELD,315

NEXPERIA PMEG2010BELD - RECTIFIE

NXP Semiconductors

228,326
RFQ
PMEG2010BELD,315Технический паспорт - SOD-882 Bulk Active Schottky 20 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.6 ns 200 µA @ 20 V 40pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DFN1006-2 150°C (Max)
PMEG3005AEV,115

PMEG3005AEV,115

DIODE SCHOTTKY 30V 0.5A SOT666

NXP USA Inc.

32,000
RFQ
PMEG3005AEV,115Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
PMEG4020EP,115

PMEG4020EP,115

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD128

NXP USA Inc.

9,000
RFQ
PMEG4020EP,115Технический паспорт * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
BAT720/DG/B2,215

BAT720/DG/B2,215

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY

NXP USA Inc.

174,000
RFQ
BAT720/DG/B2,215Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
PMEG3020CEP,115

PMEG3020CEP,115

DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD128

NXP Semiconductors

333,000
RFQ
PMEG3020CEP,115Технический паспорт - SOD-128 Bulk Active Schottky 30 V 2A 420 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 30 V 170pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SOD-128/CFP5 150°C (Max)
PMEG4020EP,115

PMEG4020EP,115

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD128

NXP Semiconductors

9,007
RFQ
PMEG4020EP,115Технический паспорт - SOD-128 Bulk Active Schottky 40 V 2A 490 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V 95pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount SOD-128/CFP5 150°C (Max)
1N4148,133

1N4148,133

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

NXP USA Inc.

9,742
RFQ
1N4148,133Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Cut Tape (CT) Obsolete Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ALF2 -
1N4148,143

1N4148,143

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

NXP USA Inc.

7,242
RFQ
1N4148,143Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Cut Tape (CT) Obsolete Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ALF2 200°C (Max)
Total 128 Record«Prev12345...13Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics