Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
JANTX1N6079

JANTX1N6079

DIODE GEN PURP 50V 2A G AXIAL

Microchip Technology

3,716
RFQ
JANTX1N6079Технический паспорт - G, Axial Bulk Active Standard 50 V 2A 1.5 V @ 37.7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/503 Through Hole G, Axial -65°C ~ 155°C
JANS1N6640US/TR

JANS1N6640US/TR

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D

Microchip Technology

3,908
RFQ
JANS1N6640US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 300mA 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/609 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
VS-SD400C04C

VS-SD400C04C

DIODE GEN PURP 400V 800A DO200AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,391
RFQ
VS-SD400C04CТехнический паспорт - DO-200AA, A-PUK Bulk Last Time Buy Standard 400 V 800A 1.86 V @ 1930 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 400 V - - - Clamp On DO-200AA, A-PUK -
JANTX1N6080/TR

JANTX1N6080/TR

DIODE GP REV 100V 2A G AXIAL

Microchip Technology

2,231
RFQ
JANTX1N6080/TRТехнический паспорт - G, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard, Reverse Polarity 100 V 2A 1.5 V @ 37.7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 100 V - Military MIL-PRF-19500/503 Through Hole G, Axial -65°C ~ 155°C
JANTXV1N6080

JANTXV1N6080

DIODE GEN PURP 100V 2A G AXIAL

Microchip Technology

5,983
RFQ
JANTXV1N6080Технический паспорт - G, Axial Bulk Active Standard 100 V 2A 1.5 V @ 37.7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 100 V - Military MIL-PRF-19500/503 Through Hole G, Axial -65°C ~ 155°C
JANTXV1N6079

JANTXV1N6079

DIODE GEN PURP 50V 2A G AXIAL

Microchip Technology

5,224
RFQ
JANTXV1N6079Технический паспорт - G, Axial Bulk Active Standard 50 V 2A 1.5 V @ 37.7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/503 Through Hole G, Axial -65°C ~ 155°C
1N3663R

1N3663R

DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO21

Microchip Technology

6,169
RFQ
1N3663RТехнический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3663

1N3663

DIODE GEN PURP 400V 35A DO21

Microchip Technology

5,176
RFQ
1N3663Технический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard 400 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3660R

1N3660R

DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO21

Microchip Technology

5,371
RFQ
1N3660RТехнический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3665R

1N3665R

DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO21

Microchip Technology

9,327
RFQ
1N3665RТехнический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3665

1N3665

DIODE GEN PURP 600V 35A DO21

Microchip Technology

4,523
RFQ
1N3665Технический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard 600 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3662R

1N3662R

DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO21

Microchip Technology

8,635
RFQ
1N3662RТехнический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 300 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 300 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3659

1N3659

DIODE GEN PURP 50V 35A DO21

Microchip Technology

3,607
RFQ
1N3659Технический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard 50 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3664R

1N3664R

DIODE GEN PURP REV 500V 35A DO21

Microchip Technology

6,131
RFQ
1N3664RТехнический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 500 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 500 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3661

1N3661

DIODE GEN PURP 200V 35A DO21

Microchip Technology

9,835
RFQ
1N3661Технический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard 200 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3662

1N3662

DIODE GEN PURP 300V 35A DO21

Microchip Technology

4,780
RFQ
1N3662Технический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard 300 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 300 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3661R

1N3661R

DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO21

Microchip Technology

8,396
RFQ
1N3661RТехнический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3659R

1N3659R

DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO21

Microchip Technology

9,643
RFQ
1N3659RТехнический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3664

1N3664

DIODE GEN PURP 500V 35A DO21

Microchip Technology

5,025
RFQ
1N3664Технический паспорт - DO-208AA Bulk Active Standard 500 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 500 V - - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3666

1N3666

DIODE GEN PURP 80V 500MA AXIAL

Microchip Technology

2,199
RFQ
1N3666Технический паспорт - Axial Bulk Active Standard 80 V 500mA 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 25 µA @ 50 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 85°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics