Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
PCFFS20120AF

PCFFS20120AF

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 20A DIE

onsemi

2,615
RFQ
PCFFS20120AFТехнический паспорт - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.723 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
FFSH30120A

FFSH30120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2

onsemi

4,330
RFQ
FFSH30120AТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 46A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1740pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSH5065A

FFSH5065A

DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-2

onsemi

5,579
RFQ
FFSH5065AТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 60A 1.75 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 2530pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
PCFFS30120AF

PCFFS30120AF

DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE

onsemi

3,142
RFQ
PCFFS30120AFТехнический паспорт - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 46A 1.75 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1740pf @ 1V, 100kHz - - Surface Mount Die -55°C ~ 175°C
PCFFS50120AF

PCFFS50120AF

DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE

onsemi

9,404
RFQ
PCFFS50120AFТехнический паспорт - Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.75 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Die 175°C (Max)
HBL2010BRP

HBL2010BRP

1 CHANNEL ESD PROTECTOR

onsemi

7,956
RFQ
HBL2010BRPТехнический паспорт * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
FDH300

FDH300

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

onsemi

9,175
RFQ
FDH300Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Standard 125 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1 nA @ 125 V 6pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
MUR1520

MUR1520

DIODE GEN PURP 200V 15A TO220-2

onsemi

5,249
RFQ
MUR1520Технический паспорт SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Obsolete Standard 200 V 15A 1.05 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
MUR1560

MUR1560

DIODE SUPERFST TO220AC 600V 50NS

onsemi

4,689
RFQ
MUR1560Технический паспорт SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 15A 1.5 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
MUR820

MUR820

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

onsemi

5,699
RFQ
MUR820Технический паспорт SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Obsolete Standard 200 V 8A 975 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 5 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 175°C
Total 2853 Record«Prev1... 220221222223224225226227...286Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics