Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
GP3D008A065A

GP3D008A065A

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2

SemiQ

7,088
RFQ
GP3D008A065AТехнический паспорт Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A065A

GP3D010A065A

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

SemiQ

8,334
RFQ
GP3D010A065AТехнический паспорт Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 419pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A065B

GP3D010A065B

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2

SemiQ

7,555
RFQ
GP3D010A065BТехнический паспорт Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 419pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D012A065A

GP3D012A065A

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2

SemiQ

6,993
RFQ
GP3D012A065AТехнический паспорт Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 572pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D008A065D

GP3D008A065D

DIODE SIC 650V 8A TO263-2L

SemiQ

3,278
RFQ
GP3D008A065DТехнический паспорт - - Tape & Reel (TR) Active - 650 V 8A - - - - - - - - - -
GP3D010A065C

GP3D010A065C

DIODE SILICON CARBIDE

SemiQ

8,544
RFQ
GP3D010A065CТехнический паспорт * - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
GP3D010A065D

GP3D010A065D

DIODE SIC 650V 8A TO263-2L

SemiQ

5,502
RFQ
GP3D010A065DТехнический паспорт - - Tape & Reel (TR) Active - 650 V 10A - - - - - - - - - -
GP3D012A065B

GP3D012A065B

DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

SemiQ

2
RFQ
GP3D012A065BТехнический паспорт Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 572pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D020A065A

GP3D020A065A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

SemiQ

8,484
RFQ
GP3D020A065AТехнический паспорт Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 75 µA @ 650 V 1247pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A120B

GP3D010A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

SemiQ

4,098
RFQ
GP3D010A120BТехнический паспорт Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 608pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
Total 44 Record«Prev12345Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics