Одиночные диоды
| Производители | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Сбросить всё
Применить всё
Результат
| Фото | № детали производителя | Наличие | Цена | Количество | Технический паспорт | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WNSC208006QDIODE SCHOTTKY TO220-2L WeEn Semiconductors |
9,502 | - |
|
|
- | TO-220-2 | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 800 V | 20A | 1.7 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 450 µA @ 800 V | 655pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | 175°C |
|
WNSC5D04650D6JDIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK WeEn Semiconductors |
6,611 | - |
|
|
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 4A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 138pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | DPAK | -55°C ~ 175°C |
