Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
APT10SCD65K

APT10SCD65K

DIODE SIL CARB 650V 17A TO220

Microsemi Corporation

2,420
RFQ
APT10SCD65KТехнический паспорт - TO-220-2 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 17A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 150°C
APT20SCD65K

APT20SCD65K

DIODE SIL CARB 650V 32A TO220

Microsemi Corporation

4,297
RFQ
APT20SCD65KТехнический паспорт - TO-220-2 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 650 V 680pF @ 100mV, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 150°C
MC5616

MC5616

DIODE GP 3KV 570MA S AXIAL

Microsemi Corporation

7,525
RFQ
MC5616Технический паспорт - S, Axial Bulk Active Standard 3000 V 570mA 6 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 1 µA @ 3000 V - - - Through Hole S, Axial -65°C ~ 150°C
APT30SCD65B

APT30SCD65B

DIODE SIL CARBIDE 650V 46A TO247

Microsemi Corporation

3,726
RFQ
APT30SCD65BТехнический паспорт - TO-247-2 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 46A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 600 µA @ 650 V 945pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
JANHCA1N6391

JANHCA1N6391

SCHOTTKY RECTIFIER

Microsemi Corporation

4,486
RFQ
JANHCA1N6391Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 45 V 22.5A 680 mV @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 45 V 2000pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/553 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -55°C ~ 175°C
JANHCA1N6392

JANHCA1N6392

SCHOTTKY RECTIFIER

Microsemi Corporation

3,575
RFQ
JANHCA1N6392Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 45 V 54A 820 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 45 V 3000pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/554 Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -55°C ~ 175°C
MSC750SMA120S

MSC750SMA120S

MOSFET N-CH 1200V D3PAK

Microsemi Corporation

9,384
RFQ
MSC750SMA120SТехнический паспорт * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
APT10SCE120B

APT10SCE120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO247

Microsemi Corporation

7,604
RFQ
APT10SCE120BТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 43A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 630pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
APT10SCE170B

APT10SCE170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247

Microsemi Corporation

7,868
RFQ
APT10SCE170BТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 23A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1700 V 1120pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
APT10SCE65B

APT10SCE65B

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247

Microsemi Corporation

6,529
RFQ
APT10SCE65BТехнический паспорт * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - -
Total 216 Record«Prev1... 171819202122Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics