Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
STPSC8H065BY-TR

STPSC8H065BY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

STMicroelectronics

4,209
RFQ
STPSC8H065BY-TRТехнический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 414pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
STPSC10065GY-TR

STPSC10065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

621
RFQ
STPSC10065GY-TRТехнический паспорт ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
FFSM0465A

FFSM0465A

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN

onsemi

4,028
RFQ
FFSM0465AТехнический паспорт - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.75 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 247pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
VS-35APF06LHM3

VS-35APF06LHM3

DIODE GEN PURP 600V 35A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

487
RFQ
VS-35APF06LHM3Технический паспорт - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active Standard 600 V 35A 1.46 V @ 35 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD (TO-3P) -40°C ~ 150°C
RFUH20TF6SC9

RFUH20TF6SC9

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Rohm Semiconductor

932
RFQ
RFUH20TF6SC9Технический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 2.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220NFM 150°C
FFSB1065B

FFSB1065B

DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2

onsemi

686
RFQ
FFSB1065BТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDK05G120C5XTMA1

IDK05G120C5XTMA1

DIODE SIC 1.2KV 19.1A TO263-1

Infineon Technologies

955
RFQ
IDK05G120C5XTMA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19.1A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
STPSC8H065DLF

STPSC8H065DLF

DIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT

STMicroelectronics

5,264
RFQ
STPSC8H065DLFТехнический паспорт ECOPACK®2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.55 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 460pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV -40°C ~ 175°C
DSEI12-12AZ-TUB

DSEI12-12AZ-TUB

DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO263HV

IXYS

1,270
RFQ
DSEI12-12AZ-TUBТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 11A 2.6 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 250 µA @ 1200 V 6pF @ 600V, 1MHz - - Surface Mount TO-263HV -40°C ~ 150°C
SCS304AJTLL

SCS304AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTL

Rohm Semiconductor

974
RFQ
SCS304AJTLLТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.5 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 200pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
S3D10065I

S3D10065I

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220

SMC Diode Solutions

125
RFQ
S3D10065IТехнический паспорт - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
VS-E5PH6006LHN3

VS-E5PH6006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

183
RFQ
VS-E5PH6006LHN3Технический паспорт FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.7 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 54 ns 25 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
S3D10065D1

S3D10065D1

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247AD

SMC Diode Solutions

215
RFQ
S3D10065D1Технический паспорт - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
CDLL5818

CDLL5818

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

Microchip Technology

190
RFQ
CDLL5818Технический паспорт - DO-213AB, MELF Bulk Active Schottky 30 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 30 V 0.9pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 150°C
VS-45APS12LHM3

VS-45APS12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

179
RFQ
VS-45APS12LHM3Технический паспорт - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active Standard 1200 V 45A 1.14 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD (TO-3P) -40°C ~ 150°C
VS-3C06ET07S2L-M3

VS-3C06ET07S2L-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,541
RFQ
VS-3C06ET07S2L-M3Технический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 650 V 255pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-45APS16LHM3

VS-45APS16LHM3

DIODES - TO-247-E3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

642
RFQ
VS-45APS16LHM3Технический паспорт - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active Standard 1600 V 45A 1.16 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD (TO-3P) -40°C ~ 150°C
S4D10120F

S4D10120F

DIODE SIC 1.2KV 10A ITO220AC

SMC Diode Solutions

788
RFQ
S4D10120FТехнический паспорт - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSM0665A

FFSM0665A

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN

onsemi

2,860
RFQ
FFSM0665AТехнический паспорт - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 365pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSB0665B-F085

FFSB0665B-F085

DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

onsemi

910
RFQ
FFSB0665B-F085Технический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 404405406407408409410411...2381Next»

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics