Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
C3D06060F

C3D06060F

DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2

Wolfspeed, Inc.

1,323
RFQ
C3D06060FТехнический паспорт Z-Rec® TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 11.5A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 294pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-F2 -55°C ~ 175°C
GD10MPS12E

GD10MPS12E

DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

9,841
RFQ
GD10MPS12EТехнический паспорт SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 29A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 1200 V 367pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12S-M3

VS-20ETF12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,217
RFQ
VS-20ETF12S-M3Технический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
IDM05G120C5XTMA1

IDM05G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2

Infineon Technologies

1,779
RFQ
IDM05G120C5XTMA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 175°C
VS-8EWF12STR-M3

VS-8EWF12STR-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,847
RFQ
VS-8EWF12STR-M3Технический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-8EWF06STR-M3

VS-8EWF06STR-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,511
RFQ
VS-8EWF06STR-M3Технический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 8A 1.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-8EWF12S-M3

VS-8EWF12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,812
RFQ
VS-8EWF12S-M3Технический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 1200 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
APT60D120BG

APT60D120BG

DIODE GP 1.2KV 60A TO247

Microchip Technology

955
RFQ
APT60D120BGТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
APT60S20BG

APT60S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Microchip Technology

538
RFQ
APT60S20BGТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
GD10MPS12A

GD10MPS12A

DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

3,529
RFQ
GD10MPS12AТехнический паспорт SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 25A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 1200 V 367pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10H065GY-TR

STPSC10H065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,273
RFQ
STPSC10H065GY-TRТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
VS-20ETF06FP-M3

VS-20ETF06FP-M3

DIODE GP 600V 20A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,061
RFQ
VS-20ETF06FP-M3Технический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 1.67 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-EPU6006LHN3

VS-EPU6006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

895
RFQ
VS-EPU6006LHN3Технический паспорт FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSI45-16A

DSI45-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD

IXYS

978
RFQ
DSI45-16AТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 45A 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
1N5712-1

1N5712-1

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

1,793
RFQ
1N5712-1Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
IDH05G120C5XKSA1

IDH05G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1

Infineon Technologies

899
RFQ
IDH05G120C5XKSA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-90APS12L-M3

VS-90APS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,295
RFQ
VS-90APS12L-M3Технический паспорт - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
1N5615

1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

270
RFQ
1N5615Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
STPSC10H065B-TR

STPSC10H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

STMicroelectronics

12,231
RFQ
STPSC10H065B-TRТехнический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
1N5417

1N5417

DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL

Microchip Technology

1,183
RFQ
1N5417Технический паспорт - Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 3839404142434445...2381Next»

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics