Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
PMEG4002ESFCYL

PMEG4002ESFCYL

PMEG4002ESF - 40V, 0.2A LOW VF M

Nexperia USA Inc.

63,000
RFQ
PMEG4002ESFCYLТехнический паспорт - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 40 V 200mA 600 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.28 ns 6.5 µA @ 40 V 17pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C
PMEG3002AESFCYL

PMEG3002AESFCYL

PMEG3002AESF - 30V, 0.2A LOW VF

Nexperia USA Inc.

63,000
RFQ
PMEG3002AESFCYLТехнический паспорт - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 30 V 200mA 470 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.37 ns 30 µA @ 10 V 22pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C
PMEG3002ESFCYL

PMEG3002ESFCYL

PMEG3002ESF - 30V, 0.2A LOW VF M

Nexperia USA Inc.

63,000
RFQ
PMEG3002ESFCYLТехнический паспорт - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 30 V 200mA 535 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.42 ns 9 µA @ 30 V 21pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C
1N5282TR

1N5282TR

DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

60,204
RFQ
1N5282TRТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 80 V 200mA 900 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 55 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
1N456ATR

1N456ATR

HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO

Fairchild Semiconductor

60,000
RFQ
1N456ATRТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 30 V 500mA 1 V @ 100 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 nA @ 25 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
BAV103

BAV103

RECTIFIER DIODE, 0.2A, 250V

Fairchild Semiconductor

55,519
RFQ
BAV103Технический паспорт - DO-213AA Bulk Active Standard 200 V 200mA 1.25 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 5 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-213AA (MINIMELF) -50°C ~ 175°C
1N914B

1N914B

RECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-

Fairchild Semiconductor

55,000
RFQ
1N914BТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 100 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
PMEG4005ESFCYL

PMEG4005ESFCYL

PMEG4005ESF - 40V, 0.5A LOW VF M

Nexperia USA Inc.

54,000
RFQ
PMEG4005ESFCYLТехнический паспорт - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 40 V 500mA 880 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.28 ns 6.5 µA @ 40 V 17pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C
MMSD459A

MMSD459A

DIODE GEN PURP SOD123

onsemi

51,000
RFQ
MMSD459AТехнический паспорт - SOD-123 Bulk Active Standard - - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Surface Mount SOD-123 150°C (Max)
DFD05TJ-BT

DFD05TJ-BT

RECTIFIER DIODE, 0.5A, 800V V(RR

onsemi

45,000
RFQ
DFD05TJ-BTТехнический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
BAV102,115

BAV102,115

DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS

NXP Semiconductors

40,000
RFQ
BAV102,115Технический паспорт - DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active Standard 150 V 250mA 1.25 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 nA @ 150 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount LLDS; MiniMelf 175°C (Max)
1N5393

1N5393

DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Fairchild Semiconductor

35,950
RFQ
1N5393Технический паспорт - DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.5A 1.3 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 200 V - - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -50°C ~ 175°C
1N4006T/R

1N4006T/R

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

35,000
RFQ
1N4006T/RТехнический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 800 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
BAT54FSTR

BAT54FSTR

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.2A,

onsemi

33,000
RFQ
BAT54FSTRТехнический паспорт - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Schottky 30 V 200mA 800 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 2 µA @ 25 V 10pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C
1N4148TA

1N4148TA

HIGH CONDUCTANCE FAST DIODE

Fairchild Semiconductor

32,650
RFQ
1N4148TAТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
BAV19TR

BAV19TR

DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

30,000
RFQ
BAV19TRТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 120 V 200mA 1.25 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 100 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
1N914TR

1N914TR

RECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-

Fairchild Semiconductor

30,000
RFQ
1N914TRТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
FDH444TR

FDH444TR

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

30,000
RFQ
FDH444TRТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 125 V 200mA 1.2 V @ 300 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 60 ns 50 nA @ 100 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
1N4454

1N4454

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

30,000
RFQ
1N4454Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
PMEG6010ESBC,315

PMEG6010ESBC,315

NEXPERIA PMEG6010ESBC - RECTIFIE

NXP Semiconductors

30,000
RFQ
PMEG6010ESBC,315Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
Total 47618 Record«Prev1... 724725726727728729730731...2381Next»

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics