Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
S6D10065F

S6D10065F

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

492
RFQ
S6D10065FТехнический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 33A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 769pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC (TO-220-2F) -55°C ~ 175°C
S6D10065A

S6D10065A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

74
RFQ
S6D10065AТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 33A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 769pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
YQ20NL10SDFHTL

YQ20NL10SDFHTL

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
YQ20NL10SDFHTLТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 20A 960 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 70 µA @ 100 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 150°C
RBQ16NL45BFNSTL

RBQ16NL45BFNSTL

45V, 16A, TO-263L, LOW IR SBD :

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
RBQ16NL45BFNSTLТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 16A 610 mV @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 µA @ 45 V - - - Surface Mount TO-263L 175°C
MBR80100WT

MBR80100WT

100V, 80A, TO-247AD, DIODE SCHOT

SMC Diode Solutions

300
RFQ
MBR80100WTТехнический паспорт - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
RFUH20NS4SFHTL

RFUH20NS4SFHTL

FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
RFUH20NS4SFHTLТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 430 V 20A 1.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 10 µA @ 430 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPDS 150°C
SDUR10020W

SDUR10020W

200V, 100A, TO-247AC, ULTRA FAST

SMC Diode Solutions

175
RFQ
SDUR10020WТехнический паспорт - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
RBQ10NL45BFHHTL

RBQ10NL45BFHHTL

45V, 10A, TO-263L, LOW IR SBD FO

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
RBQ10NL45BFHHTLТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 10A 620 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 45 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
SDUR60H120W

SDUR60H120W

1200V, 60A, TO-247AC, ULTRA FAST

SMC Diode Solutions

560
RFQ
SDUR60H120WТехнический паспорт - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
DSC08A065FP

DSC08A065FP

SILICON CARBIDE RECTIFIER ITO-22

Diodes Incorporated

50
RFQ
DSC08A065FPТехнический паспорт - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.5 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 230 µA @ 650 V 370pF @ 100mV, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
DSC08A065

DSC08A065

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A

Diodes Incorporated

50
RFQ
DSC08A065Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.5 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 230 µA @ 650 V 355pF @ 100mV, 1MHz - - Through Hole TO220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
SDUR80P65WT

SDUR80P65WT

80A,650V,TO-247AD, ULTRAFAST REC

SMC Diode Solutions

214
RFQ
SDUR80P65WTТехнический паспорт - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
YQ20NL10SEFHTL

YQ20NL10SEFHTL

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A,

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
YQ20NL10SEFHTLТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 20A 860 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 µA @ 100 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 150°C
YQ30NL10SDFHTL

YQ30NL10SDFHTL

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 30A

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
YQ30NL10SDFHTLТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 30A 990 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 95 µA @ 100 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 150°C
S6D10065I

S6D10065I

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

1,000
RFQ
S6D10065IТехнический паспорт - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 33A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 769pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
S6D10065D1

S6D10065D1

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

280
RFQ
S6D10065D1Технический паспорт - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 33A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 769pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
SDS065J012C3-ISATH

SDS065J012C3-ISATH

DIODE 650V-12A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

100
RFQ
SDS065J012C3-ISATHТехнический паспорт Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 37A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 36 µA @ 650 V 651pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
DSC10A065

DSC10A065

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A

Diodes Incorporated

58
RFQ
DSC10A065Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 650 V 436pF @ 100mV, 1MHz - - Through Hole TO220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
S3D15065F

S3D15065F

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

100
RFQ
S3D15065FТехнический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Active - - - - - - - - - - Through Hole ITO-220AC (TO-220-2F) -
TRS10E65H,S1Q

TRS10E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

68
RFQ
TRS10E65H,S1QТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 649pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 799800801802803804805806...2381Next»

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics