Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
STTH15RQ06D

STTH15RQ06D

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

STMicroelectronics

8,287
RFQ
STTH15RQ06DТехнический паспорт ECOPACK® TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 15A 2.95 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
VS-E5PH7506LHN3

VS-E5PH7506LHN3

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,346
RFQ
VS-E5PH7506LHN3Технический паспорт FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 57 ns 25 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-E5PX7506LHN3

VS-E5PX7506LHN3

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,868
RFQ
VS-E5PX7506LHN3Технический паспорт FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 2.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 48 ns 25 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-45EPF06LHM3

VS-45EPF06LHM3

DIODE GEN PURP 600V 45A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,302
RFQ
VS-45EPF06LHM3Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 45A 1.31 V @ 45 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
VS-65APS12LHM3

VS-65APS12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,905
RFQ
VS-65APS12LHM3Технический паспорт - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.12 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD (TO-3P) -40°C ~ 150°C
VS-12FR20

VS-12FR20

DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,623
RFQ
VS-12FR20Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 12A 1.26 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
TRS8E65F,S1Q

TRS8E65F,S1Q

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

8,401
RFQ
TRS8E65F,S1QТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 28pF @ 650V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C (Max)
STTH810GY-TR

STTH810GY-TR

DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK

STMicroelectronics

8,134
RFQ
STTH810GY-TRТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 8A 2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 5 µA @ 1000 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
VS-45EPF12LHM3

VS-45EPF12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,470
RFQ
VS-45EPF12LHM3Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 45A 1.44 V @ 45 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
VS-30APF10-M3

VS-30APF10-M3

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,946
RFQ
VS-30APF10-M3Технический паспорт - TO-247-3 Tube Active Standard 1000 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
STTH15R06FP

STTH15R06FP

DIODE GP 600V 15A TO220FPAC

STMicroelectronics

2,320
RFQ
STTH15R06FPТехнический паспорт - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 15A 2.9 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 60 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FPAC 175°C (Max)
VS-40EPS16-M3

VS-40EPS16-M3

DIODE GP 1.6KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,765
RFQ
VS-40EPS16-M3Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 40A 1.14 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-65APS16LHM3

VS-65APS16LHM3

DIODE GEN PURP 1.6KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,866
RFQ
VS-65APS16LHM3Технический паспорт - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active Standard 1600 V 65A 1.17 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD (TO-3P) -40°C ~ 150°C
VS-HFA06PB120-N3

VS-HFA06PB120-N3

DIODE GP 1.2KV 6A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,033
RFQ
VS-HFA06PB120-N3Технический паспорт HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 6A 3 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 5 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
DSA1-12D

DSA1-12D

DIODE AVALANCHE 1.2KV 2.3A

IXYS

9,568
RFQ
DSA1-12DТехнический паспорт - Radial Box Active Avalanche 1200 V 2.3A 1.34 V @ 7 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 700 µA @ 1200 V - - - Through Hole - -40°C ~ 150°C
TRS10E65F,S1Q

TRS10E65F,S1Q

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

3,742
RFQ
TRS10E65F,S1QТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 36pF @ 650V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C (Max)
TRS10A65F,S1Q

TRS10A65F,S1Q

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

Toshiba Semiconductor and Storage

4,007
RFQ
TRS10A65F,S1QТехнический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 36pF @ 650V, 1MHz - - Through Hole TO-220F-2L 175°C (Max)
IDWD10G120C5XKSA1

IDWD10G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2

Infineon Technologies

6,810
RFQ
IDWD10G120C5XKSA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 34A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1200 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-2 -55°C ~ 175°C
TRS4A65F,S1Q

TRS4A65F,S1Q

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F

Toshiba Semiconductor and Storage

4,029
RFQ
TRS4A65F,S1QТехнический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.6 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 16pF @ 650V, 1MHz - - Through Hole TO-220F-2L 175°C (Max)
TRS12E65F,S1Q

TRS12E65F,S1Q

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

5,715
RFQ
TRS12E65F,S1QТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 65pF @ 650V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C (Max)
Total 47618 Record«Prev1... 854855856857858859860861...2381Next»

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics