Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
JANTXV1N4150UR-1

JANTXV1N4150UR-1

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Microchip Technology

6,175
RFQ
JANTXV1N4150UR-1Технический паспорт - DO-213AA Bulk Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/231 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N647UR-1/TR

1N647UR-1/TR

DIODE GP 400V 400MA DO213AA

Microchip Technology

6,832
RFQ
1N647UR-1/TRТехнический паспорт - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 400 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
VS-16FL60S05

VS-16FL60S05

DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,633
RFQ
VS-16FL60S05Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 16A 1.4 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
APT75DQ60SG

APT75DQ60SG

DIODE GEN PURP 75A D3PAK

Microchip Technology

5,670
RFQ
APT75DQ60SGТехнический паспорт - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard - 75A 2.5 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 31 ns 25 µA @ 600 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
APT60DQ120SG

APT60DQ120SG

DIODE GEN PURP 60A D3PAK

Microchip Technology

9,451
RFQ
APT60DQ120SGТехнический паспорт - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard - 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 320 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
APT60D40SG

APT60D40SG

DIODE GEN PURP 400V 60A D3

Microchip Technology

4,244
RFQ
APT60D40SGТехнический паспорт - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 400 V 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 37 ns 250 µA @ 400 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
SICF2060Y-BP

SICF2060Y-BP

SCHOTTKY DIODES

Micro Commercial Co

6,871
RFQ
SICF2060Y-BPТехнический паспорт - TO-220-2 Isolated Tab Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 1157pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
GKN26/08

GKN26/08

DIODE GEN PURP 800V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,622
RFQ
GKN26/08Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 800 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
GKR26/08

GKR26/08

DIODE GEN PURP 800V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,499
RFQ
GKR26/08Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 800 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
1N1202AR

1N1202AR

DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,626
RFQ
1N1202ARТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 12A 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
DSEP12-12AZ-TUB

DSEP12-12AZ-TUB

DIODE GEN PURP 1.2KV 12A TO263HV

IXYS

2
RFQ
DSEP12-12AZ-TUBТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 12A 2.62 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 100 µA @ 1200 V 5pF @ 600V, 1MHz - - Surface Mount TO-263HV -55°C ~ 175°C
IDC05S120C5X1SA1

IDC05S120C5X1SA1

IC DIODE EMITTER CTLR WAFER

Infineon Technologies

2,637
RFQ
IDC05S120C5X1SA1Технический паспорт - Die Bulk Active - - - - - - - - - - Surface Mount Sawn on foil -
1N483

1N483

DIODE RECT STD RECOVERY

Microchip Technology

5,307
RFQ
1N483Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N483A

1N483A

DIODE RECT STD RECOVERY

Microchip Technology

8,624
RFQ
1N483AТехнический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N485

1N485

DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Microchip Technology

9,200
RFQ
1N485Технический паспорт - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active Standard 180 V 100mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 180 V - - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
1N485A

1N485A

DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Microchip Technology

2,126
RFQ
1N485AТехнический паспорт - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active Standard 180 V 100mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 180 V - - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
STPSC5H12B-TR1

STPSC5H12B-TR1

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DPAK

STMicroelectronics

5,033
RFQ
STPSC5H12B-TR1Технический паспорт ECOPACK® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 450pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
60CPF04

60CPF04

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,787
RFQ
60CPF04Технический паспорт - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-80PFR160

VS-80PFR160

DIODE GP REV 1.6KV 80A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,838
RFQ
VS-80PFR160Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 80A 1.46 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 150°C
VS-12FL20S02

VS-12FL20S02

DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,827
RFQ
VS-12FL20S02Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics