Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
VS-16FLR40S05

VS-16FLR40S05

DIODE GP REV 400V 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,296
RFQ
VS-16FLR40S05Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 16A 1.4 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
VS-80PFR140W

VS-80PFR140W

DIODE GP REV 1.4KV 80A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,469
RFQ
VS-80PFR140WТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 80A 1.46 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 150°C
1N6677

1N6677

RECTIFIER DIODE

Microchip Technology

2,456
RFQ
1N6677Технический паспорт * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
1N6677-1

1N6677-1

RECTIFIER DIODE

Microchip Technology

8,875
RFQ
1N6677-1Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 40 V 200mA 500 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 5 µA @ 40 V 50pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 125°C
1N5618/TR

1N5618/TR

DIODE GEN PURP 600V 1A

Microchip Technology

3,006
RFQ
1N5618/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
1N649/TR

1N649/TR

DIODE GP REV 600V 400MA DO35

Microchip Technology

2,405
RFQ
1N649/TRТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard, Reverse Polarity 600 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 200 nA @ 600 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
VS-50PF80

VS-50PF80

DIODE GEN PURP 800V 50A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,008
RFQ
VS-50PF80Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 50A 1.4 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C
VS-50PFR80

VS-50PFR80

DIODE GP REV 800V 50A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,825
RFQ
VS-50PFR80Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 50A 1.4 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
GD05MPS17J

GD05MPS17J

DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

6,101
RFQ
GD05MPS17JТехнический паспорт - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
1N4248

1N4248

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

9,030
RFQ
1N4248Технический паспорт - A, Axial Bulk Obsolete Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 800 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-12FL20S05

VS-12FL20S05

DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,847
RFQ
VS-12FL20S05Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 50 µA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
SICPT2060Y-BP

SICPT2060Y-BP

SCHOTTKY DIODES

Micro Commercial Co

7,146
RFQ
SICPT2060Y-BPТехнический паспорт - TO-247-2 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 1157pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
CDBJFSC10650-G

CDBJFSC10650-G

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

Comchip Technology

7,189
RFQ
CDBJFSC10650-GТехнический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 710pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220F -55°C ~ 175°C
DGS4-025A

DGS4-025A

DIODE SCHOTTKY 250V 5.4A TO220AC

IXYS

4,507
RFQ
DGS4-025AТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete Schottky 250 V 5.4A 1.6 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 700 µA @ 250 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
QH30TZ625

QH30TZ625

QH30TZ625

Power Integrations

6,968
RFQ
QH30TZ625Технический паспорт - TO-220-2 Bulk Active Schottky 625 V 30A 3.15 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 28.4 ns 500 µA @ 625 V 142pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
STTH30ST06GY-TR

STTH30ST06GY-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

STMicroelectronics

3,321
RFQ
STTH30ST06GY-TRТехнический паспорт ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 30A 3.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
JANTXV1N914

JANTXV1N914

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

9,703
RFQ
JANTXV1N914Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V 2.8pF @ 1.5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/116 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
PCDG05120GB_L2_00601

PCDG05120GB_L2_00601

SIC DIODE 1200V/5A IN TO-252AA P

Panjit International Inc.

4,550
RFQ
PCDG05120GB_L2_00601Технический паспорт - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
CSD10030A

CSD10030A

DIODE SIL CARB 300V 10A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

7,644
RFQ
CSD10030AТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 300 V 10A 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 300 V 660pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-50PF120

VS-50PF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,570
RFQ
VS-50PF120Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 50A 1.4 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics