Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
JANTX1N5807

JANTX1N5807

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Microchip Technology

6,359
RFQ
JANTX1N5807Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5711-1/TR

JANTX1N5711-1/TR

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO35

Microchip Technology

4,418
RFQ
JANTX1N5711-1/TRТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
JANTX1N5806US/TR

JANTX1N5806US/TR

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

Microchip Technology

9,012
RFQ
JANTX1N5806US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 1A 975 mV @ 2.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
JANTX1N5417/TR

JANTX1N5417/TR

DIODE GEN PURP 200V 3A

Microchip Technology

5,809
RFQ
JANTX1N5417/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5416/TR

JANTX1N5416/TR

DIODE GEN PURP 100V 3A

Microchip Technology

8,008
RFQ
JANTX1N5416/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 100 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6661/TR

1N6661/TR

DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35

Microchip Technology

4,612
RFQ
1N6661/TRТехнический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 225 V 500mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 225 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
VS-41HFR100

VS-41HFR100

DIODE GP REV 1KV 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,038
RFQ
VS-41HFR100Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 1000 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
JAN1N5553

JAN1N5553

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Microchip Technology

9,356
RFQ
JAN1N5553Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 800 V 3A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5554

JAN1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Microchip Technology

5,666
RFQ
JAN1N5554Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 3A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5552US

1N5552US

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

Microchip Technology

6,263
RFQ
1N5552USТехнический паспорт - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N6639

1N6639

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Microchip Technology

4,317
RFQ
1N6639Технический паспорт - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns - - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N6640

1N6640

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

8,798
RFQ
1N6640Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N5623E3/TR

1N5623E3/TR

STD RECTIFIER

Microchip Technology

5,041
RFQ
1N5623E3/TRТехнический паспорт - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
VS-88HF40

VS-88HF40

DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,808
RFQ
VS-88HF40Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
VS-88HFR40

VS-88HFR40

DIODE GP REV 400V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,917
RFQ
VS-88HFR40Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
JANTX1N6643US

JANTX1N6643US

DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5D

Microchip Technology

2,162
RFQ
JANTX1N6643USТехнический паспорт - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 125 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 50 nA @ 20 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
JANTX1N6643U

JANTX1N6643U

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5B

Microchip Technology

4,059
RFQ
JANTX1N6643UТехнический паспорт - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
DGS10-018A

DGS10-018A

DIODE SCHOTTKY 180V 15A TO220AC

IXYS

3,809
RFQ
DGS10-018AТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete Schottky 180 V 15A 1.1 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 180 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
DGS10-025A

DGS10-025A

DIODE SCHOTTKY 250V 12A TO220AC

IXYS

4,871
RFQ
DGS10-025AТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete Schottky 250 V 12A 1.5 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 250 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
DGS10-030A

DGS10-030A

DIODE SCHOTTKY 300V 11A TO220AC

IXYS

2,927
RFQ
DGS10-030AТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete Schottky 300 V 11A 2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 300 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics