Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
1N6641

1N6641

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

6,025
RFQ
1N6641Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N6643US/TR

1N6643US/TR

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5B

Microchip Technology

3,341
RFQ
1N6643US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 50 nA @ 50 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N6643U/TR

1N6643U/TR

DIODE GP 75V 300MA SQ-MELF B

Microchip Technology

4,632
RFQ
1N6643U/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 500 nA @ 50 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
CD5809

CD5809

UFR,FRR

Microchip Technology

3,136
RFQ
CD5809Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
CD5811

CD5811

UFR,FRR

Microchip Technology

7,785
RFQ
CD5811Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
JAN1N6640US/TR

JAN1N6640US/TR

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5B

Microchip Technology

3,520
RFQ
JAN1N6640US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 300mA 1 V @ 300 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/609 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
JANTX1N5809/TR

JANTX1N5809/TR

DIODE GEN PURP 100V 3A

Microchip Technology

8,243
RFQ
JANTX1N5809/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5807/TR

JANTX1N5807/TR

DIODE GEN PURP 50V 3A

Microchip Technology

4,655
RFQ
JANTX1N5807/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
SCS110AMC

SCS110AMC

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220FM

Rohm Semiconductor

4,548
RFQ
SCS110AMCТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 430pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 150°C (Max)
1N5811USE3

1N5811USE3

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

6,776
RFQ
1N5811USE3Технический паспорт - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N457AUR

1N457AUR

DIODE GP 70V 150MA DO213AA

Microchip Technology

2,234
RFQ
1N457AURТехнический паспорт - DO-213AA Bulk Active Standard 70 V 150mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1 µA @ 70 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
DGS9-025AS

DGS9-025AS

DIODE SCHOTTKY 250V 12A TO252AA

IXYS

4,844
RFQ
DGS9-025ASТехнический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete Schottky 250 V 12A 1.5 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 250 V - - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
1N3614/TR

1N3614/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

7,516
RFQ
1N3614/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 800 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5550US/TR

1N5550US/TR

DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

5,051
RFQ
1N5550US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5550USE3

1N5550USE3

DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

8,708
RFQ
1N5550USE3Технический паспорт - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
VS-80APF02-M3

VS-80APF02-M3

DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,385
RFQ
VS-80APF02-M3Технический паспорт - TO-247-3 Tube Active Standard 200 V 80A 1.25 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 190 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-80APF04-M3

VS-80APF04-M3

DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,804
RFQ
VS-80APF04-M3Технический паспорт - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 80A 1.25 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 190 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Microchip Technology

5,866
RFQ
JAN1N5819-1Технический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V - Military MIL-PRF-19500/586 Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
1N5809E3/TR

1N5809E3/TR

DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL

Microchip Technology

3,919
RFQ
1N5809E3/TRТехнический паспорт - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 6A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5551USE3

1N5551USE3

DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

7,996
RFQ
1N5551USE3Технический паспорт - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 400 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics