Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
UTR2320

UTR2320

DIODE GEN PURP 200V 2A B AXIAL

Microchip Technology

7,754
RFQ
UTR2320Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 2A 1.1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 200 V 320pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR2360

UTR2360

DIODE GEN PURP 600V 2A B AXIAL

Microchip Technology

5,139
RFQ
UTR2360Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 2A 1.1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 5 µA @ 600 V 160pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR2310

UTR2310

DIODE GEN PURP 100V 2A B AXIAL

Microchip Technology

8,431
RFQ
UTR2310Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 2A 1.1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 100 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR2305

UTR2305

DIODE GEN PURP 50V 2A B AXIAL

Microchip Technology

8,740
RFQ
UTR2305Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 2A 1.1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 50 V 600pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6544/TR

1N6544/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

8,409
RFQ
1N6544/TRТехнический паспорт * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
JANTX1N6620/TR

JANTX1N6620/TR

DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Microchip Technology

5,824
RFQ
JANTX1N6620/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 220 V 10pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/585 Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N5826

1N5826

DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

9,894
RFQ
1N5826Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 20 V 15A 440 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5827

1N5827

DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,997
RFQ
1N5827Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 30 V 15A 470 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5828

1N5828

DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,303
RFQ
1N5828Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 40 V 15A 500 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
VS-86HFR160

VS-86HFR160

DIODE GP REV 1.6KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,525
RFQ
VS-86HFR160Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 85A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4.5 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 150°C
1N6625

1N6625

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Microchip Technology

4,716
RFQ
1N6625Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 1100 V 1A 1.75 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 1 µA @ 1100 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
DS35-08A

DS35-08A

DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB

IXYS

3,007
RFQ
DS35-08AТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Standard 800 V 49A 1.55 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DSI35-08A

DSI35-08A

DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB

IXYS

6,889
RFQ
DSI35-08AТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Standard 800 V 49A 1.55 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
IDY10S120XKSA1

IDY10S120XKSA1

DIODE SIC 1.2KV 5A TO247HC-3

Infineon Technologies

7,422
RFQ
IDY10S120XKSA1Технический паспорт CoolSiC™+ TO-247-3 Variant Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247HC-3 -55°C ~ 175°C
JANTXV1N5615/TR

JANTXV1N5615/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

6,443
RFQ
JANTXV1N5615/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N6623U

JAN1N6623U

DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A

Microsemi Corporation

7,951
RFQ
JAN1N6623UТехнический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 800 V 1A 1.55 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount D-5A -65°C ~ 150°C
1N6626US/TR

1N6626US/TR

DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Microchip Technology

2,427
RFQ
1N6626US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount A-MELF -65°C ~ 150°C
1N6625/TR

1N6625/TR

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A

Microchip Technology

2,280
RFQ
1N6625/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1100 V 1A 1.75 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 1 µA @ 1100 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6624/TR

1N6624/TR

DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Microchip Technology

2,120
RFQ
1N6624/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 990 V 1A 1.55 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 500 nA @ 900 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6626UE3

1N6626UE3

DIODE GP 200V 1.75A E AXIAL

Microchip Technology

9,762
RFQ
1N6626UE3Технический паспорт - E, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 200 V - - - Through Hole E, Axial -65°C ~ 150°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics