Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
JANTX1N5622US

JANTX1N5622US

DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A

Microchip Technology

3,979
RFQ
JANTX1N5622USТехнический паспорт - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
MNS1N6640US/TR

MNS1N6640US/TR

DIODE GP 50V 300MA D-5D

Microchip Technology

3,391
RFQ
MNS1N6640US/TRТехнический паспорт - SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 300mA 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/609 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

DIODE GEN PURP 50V 3A D-5B

Microchip Technology

3,017
RFQ
JANTXV1N5807USТехнический паспорт - SQ-MELF, E Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N6546

1N6546

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Microchip Technology

2,911
RFQ
1N6546Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N5826R

1N5826R

DIODE SCHOTTKY REV 20V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,508
RFQ
1N5826RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 20 V 15A 440 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5827R

1N5827R

DIODE SCHOTTKY REV 30V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,805
RFQ
1N5827RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 30 V 15A 470 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5828R

1N5828R

DIODE SCHOTTKY REV 40V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,502
RFQ
1N5828RТехнический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 40 V 15A 500 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
IDC15S120C5X1SA1

IDC15S120C5X1SA1

IC DIODE EMITTER CTLR WAFER

Infineon Technologies

5,095
RFQ
IDC15S120C5X1SA1Технический паспорт - Die Bulk Active - - - - - - - - - - Surface Mount Sawn on foil -
UTR4340

UTR4340

DIODE GEN PURP 400V 4A AXIAL

Microsemi Corporation

6,971
RFQ
UTR4340Технический паспорт - B, Axial Bag Active Standard 400 V 4A 1.1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 5 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6857UR-1

1N6857UR-1

SCHOTTKY RECTIFIER

Microchip Technology

9,568
RFQ
1N6857UR-1Технический паспорт - DO-213AA Bulk Active Schottky 16 V 150mA 750 mV @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 4.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
UTX215

UTX215

DIODE GEN PURP 150V 2A A AXIAL

Microchip Technology

8,929
RFQ
UTX215Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 150 V 2A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 3 µA @ 150 V - - - Through Hole A, Axial -195°C ~ 175°C
UTR3340

UTR3340

DIODE GEN PURP 400V 3A B AXIAL

Microchip Technology

5,941
RFQ
UTR3340Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 400 V 240pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR3350

UTR3350

DIODE GEN PURP 500V 3A B AXIAL

Microchip Technology

8,917
RFQ
UTR3350Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 500 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 350 ns 5 µA @ 500 V 200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR3305

UTR3305

DIODE GEN PURP 50V 3A B AXIAL

Microchip Technology

8,764
RFQ
UTR3305Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 50 V 600pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR3360

UTR3360

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

7,071
RFQ
UTR3360Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 5 µA @ 600 V 160pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR4305

UTR4305

DIODE GEN PURP 50V 4A B AXIAL

Microchip Technology

7,063
RFQ
UTR4305Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 4A 1.1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 50 V 600pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR4310

UTR4310

DIODE GEN PURP 100V 4A B AXIAL

Microchip Technology

4,101
RFQ
UTR4310Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 4A 1.1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 100 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR4320

UTR4320

DIODE GEN PURP 200V 4A B AXIAL

Microchip Technology

5,315
RFQ
UTR4320Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 4A 1.1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 200 V 320pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR3310

UTR3310

DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL

Microchip Technology

4,275
RFQ
UTR3310Технический паспорт - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 100 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTX225

UTX225

DIODE GEN PURP 250V 2A A AXIAL

Microchip Technology

3,430
RFQ
UTX225Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 250 V 2A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 3 µA @ 250 V - - - Through Hole A, Axial -195°C ~ 175°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics