Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
FR40DR05

FR40DR05

DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,600
RFQ
FR40DR05Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 40A 1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR40GR05

FR40GR05

DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,377
RFQ
FR40GR05Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 40A 1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR40JR02

FR40JR02

DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,084
RFQ
FR40JR02Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 40A 1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR40JR05

FR40JR05

DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,289
RFQ
FR40JR05Технический паспорт - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 40A 1.4 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
1N6622

1N6622

DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-PAK

Microchip Technology

3,196
RFQ
1N6622Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 500 nA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6621

1N6621

DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Microchip Technology

5,112
RFQ
1N6621Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 440 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 440 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N4949SM/TR

1N4949SM/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

5,973
RFQ
1N4949SM/TRТехнический паспорт * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
LSIC2SD120D15

LSIC2SD120D15

DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO263L

Littelfuse Inc.

4,530
RFQ
LSIC2SD120D15Технический паспорт Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 44A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 920pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
LSIC2SD120A20A

LSIC2SD120A20A

DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO220L

Littelfuse Inc.

2,730
RFQ
LSIC2SD120A20AТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54.5A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 1142pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
1N6622E3

1N6622E3

DIODE A AXIAL

Microchip Technology

6,063
RFQ
1N6622E3Технический паспорт - A, Axial Bulk Active - - - 1.6 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole A, Axial -
1N6622/TR

1N6622/TR

DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-PAK

Microchip Technology

4,123
RFQ
1N6622/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 500 nA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6621/TR

1N6621/TR

DIODE GEN PURP 440V 1.2A

Microchip Technology

8,428
RFQ
1N6621/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 440 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 440 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

DIODE GP 1.7KV 100A WAFER

Infineon Technologies

3,772
RFQ
SIDC59D170HX1SA2Технический паспорт - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1700 V 100A 1.8 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1700 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
JANTXV1N5616

JANTXV1N5616

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

7,575
RFQ
JANTXV1N5616Технический паспорт - A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JAN1N6631/TR

JAN1N6631/TR

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A

Microchip Technology

8,559
RFQ
JAN1N6631/TRТехнический паспорт - E, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1100 V 1.4A 1.6 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2 µA @ 1100 V - Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 175°C
JAN1N6628/TR

JAN1N6628/TR

DIODE GEN PURP 660V 1.75A

Microchip Technology

2,073
RFQ
JAN1N6628/TRТехнический паспорт - E, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 660 V 1.75A 1.35 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 175°C
JAN1N6630/TR

JAN1N6630/TR

DIODE GEN PURP 900V 1.4A

Microchip Technology

6,688
RFQ
JAN1N6630/TRТехнический паспорт - E, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 900 V 1.4A 1.4 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 2 µA @ 900 V - Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
JANTXV1N5616/TR

JANTXV1N5616/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

9,219
RFQ
JANTXV1N5616/TRТехнический паспорт - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
1N6547

1N6547

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Microchip Technology

8,033
RFQ
1N6547Технический паспорт * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N5829

1N5829

DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,508
RFQ
1N5829Технический паспорт - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 20 V 25A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -55°C ~ 150°C

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics