Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
BYQ60W-600PT2Q

BYQ60W-600PT2Q

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2

WeEn Semiconductors

569
RFQ
BYQ60W-600PT2QТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
BYV60W-600PT2Q

BYV60W-600PT2Q

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2

WeEn Semiconductors

468
RFQ
BYV60W-600PT2QТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.7 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 79 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
WNSC2D10650Q

WNSC2D10650Q

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

WeEn Semiconductors

995
RFQ
WNSC2D10650QТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C
WNSC6D166506Q

WNSC6D166506Q

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC

WeEn Semiconductors

2,976
RFQ
WNSC6D166506QТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 780pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C
BYC30W-600PT2Q

BYC30W-600PT2Q

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

WeEn Semiconductors

1,787
RFQ
BYC30W-600PT2QТехнический паспорт - TO-247-2 Bulk Active Standard 600 V 30A 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 34 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
BYC30W-1200PQ

BYC30W-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2

WeEn Semiconductors

386
RFQ
BYC30W-1200PQТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 3.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
WNSC2D10650TJ

WNSC2D10650TJ

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN

WeEn Semiconductors

890
RFQ
WNSC2D10650TJТехнический паспорт - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (8x8) 175°C
WNSC2D10650WQ

WNSC2D10650WQ

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2

WeEn Semiconductors

517
RFQ
WNSC2D10650WQТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 175°C
BYC75W-600PT2Q

BYC75W-600PT2Q

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247-2

WeEn Semiconductors

508
RFQ
BYC75W-600PT2QТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 2.75 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C
WNSC6D16650CW6Q

WNSC6D16650CW6Q

DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3

WeEn Semiconductors

3,000
RFQ
WNSC6D16650CW6QТехнический паспорт - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 780pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 175°C
Total 262 Record«Prev1... 4567891011...27Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics