Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
SF3008PTH

SF3008PTH

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Taiwan Semiconductor Corporation

688
RFQ
SF3008PTHТехнический паспорт - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V 175pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD (TO-3P) -55°C ~ 150°C
SDS065J006S3-ISBRH

SDS065J006S3-ISBRH

DIODE 650V-6A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J006S3-ISBRHТехнический паспорт Sanan DFN8 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
SDS065J008D3-ISARH

SDS065J008D3-ISARH

DIODE 650V-8A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J008D3-ISARHТехнический паспорт Sanan TO252 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.3 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V - - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
TRS8E65H,S1Q

TRS8E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 8A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

338
RFQ
TRS8E65H,S1QТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.35 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 520pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
FFSD1065B

FFSD1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

4,116
RFQ
FFSD1065BТехнический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SE30124-M3/I

SE30124-M3/I

30A,1200V,DO-218AB RECTIFIER

Vishay

3,000
RFQ
SE30124-M3/IТехнический паспорт - DO-218AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 4.2A 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1200 V 35pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount DO-218AB -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12FP-M3

VS-20ETF12FP-M3

DIODE GP 1.2KV 20A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

695
RFQ
VS-20ETF12FP-M3Технический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
BSDD08G65E2

BSDD08G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO252

Bourns Inc.

5,000
RFQ
BSDD08G65E2Технический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 267pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SIT10C065

SIT10C065

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

Diotec Semiconductor

980
RFQ
SIT10C065Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
VS-APU3006HN3

VS-APU3006HN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

492
RFQ
VS-APU3006HN3Технический паспорт FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
PCDF0465G1_T0_00601

PCDF0465G1_T0_00601

650V/4A THROUGH HOLE SILICON CAR

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDF0465G1_T0_00601Технический паспорт - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSM0865B

FFSM0865B

DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

onsemi

2,980
RFQ
FFSM0865BТехнический паспорт - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.6A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
SDS065J008C3-ISATH

SDS065J008C3-ISATH

DIODE 650V-8A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J008C3-ISATHТехнический паспорт Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-20ETF04STRL-M3

VS-20ETF04STRL-M3

DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,894
RFQ
VS-20ETF04STRL-M3Технический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 400 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
PCDD0465GB_L2_00601

PCDD0465GB_L2_00601

650V/4A IN TO-252AA PACKAGE SILI

Panjit International Inc.

3,000
RFQ
PCDD0465GB_L2_00601Технический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.6 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 261pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
TRS10V65H,LQ

TRS10V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 10A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

3,975
RFQ
TRS10V65H,LQТехнический паспорт - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 649pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
IDWD30E120D7XKSA1

IDWD30E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 52A TO247-2

Infineon Technologies

120
RFQ
IDWD30E120D7XKSA1Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 52A 3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 135 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
D6015L52TP

D6015L52TP

DIODE GP 600V 9.5A ITO220AB

Littelfuse Inc.

457
RFQ
D6015L52TPТехнический паспорт - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 9.5A 1.6 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 600 V - - - Through Hole ITO-220AB -40°C ~ 125°C
SIT12C065

SIT12C065

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

Diotec Semiconductor

1,000
RFQ
SIT12C065Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
IDWD20E65E7XKSA1

IDWD20E65E7XKSA1

HOME APPLIANCES 14

Infineon Technologies

220
RFQ
IDWD20E65E7XKSA1Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 42A 2.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 74 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 574575576577578579580581...2381Next»

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics