Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
RFUH20TJ6SFHGC9

RFUH20TJ6SFHGC9

SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFUH

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
RFUH20TJ6SFHGC9Технический паспорт - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 2.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 220 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220ACFP 150°C
TRS12V65H,LQ

TRS12V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

4,472
RFQ
TRS12V65H,LQТехнический паспорт - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 778pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
SDS120J005C3-ISATH

SDS120J005C3-ISATH

DIODE 1200V-5A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J005C3-ISATHТехнический паспорт Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-3C10EV07T-M3/I

VS-3C10EV07T-M3/I

SIC-G3-SLIMDPAK 2L

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,391
RFQ
VS-3C10EV07T-M3/IТехнический паспорт eSMP® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 650 V 445pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SlimDPAK -55°C ~ 175°C
S6D20065A

S6D20065A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

250
RFQ
S6D20065AТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 61A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S3D15065I

S3D15065I

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

990
RFQ
S3D15065IТехнический паспорт - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 42A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 650 V 1243pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
SDS065J010D3-ISARH

SDS065J010D3-ISARH

DIODE 650V-10A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

300
RFQ
SDS065J010D3-ISARHТехнический паспорт Sanan TO263 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
S3D15065H

S3D15065H

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

300
RFQ
S3D15065HТехнический паспорт - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 42A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 650 V 1243pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
TRS12E65H,S1Q

TRS12E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

370
RFQ
TRS12E65H,S1QТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 778pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
BSDD10G65E2

BSDD10G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

9,660
RFQ
BSDD10G65E2Технический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 323pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
IDWD50E120D7XKSA1

IDWD50E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 81A TO247-2

Infineon Technologies

230
RFQ
IDWD50E120D7XKSA1Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 81A 3 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 160 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SDS065J010C3-ISATH

SDS065J010C3-ISATH

DIODE 650V-10A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

290
RFQ
SDS065J010C3-ISATHТехнический паспорт Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
SDS120J010C3-ISATH

SDS120J010C3-ISATH

DIODE 1200V-10A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J010C3-ISATHТехнический паспорт Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSB0665A

FFSB0665A

DIODE SIL CARB 650V 9A D2PAK-3

onsemi

800
RFQ
FFSB0665AТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP2065B

FFSP2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220

onsemi

397
RFQ
FFSP2065BТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.5A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
SDS065J010E3-ISARH

SDS065J010E3-ISARH

DIODE 650V-10A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

300
RFQ
SDS065J010E3-ISARHТехнический паспорт Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
BSDH10G120E2

BSDH10G120E2

DIODE SIC 1200V 10A TO220-2

Bourns Inc.

2,929
RFQ
BSDH10G120E2Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V 481pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
PCDP0465GB_T0_00601

PCDP0465GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,931
RFQ
PCDP0465GB_T0_00601Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.6 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2

Infineon Technologies

959
RFQ
IDK08G65C5XTMA2Технический паспорт CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 250pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
FFSD1065B-F085

FFSD1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

1,968
RFQ
FFSD1065B-F085Технический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 576577578579580581582583...2381Next»

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics