Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
IDWD120E65E7XKSA1

IDWD120E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2

Infineon Technologies

210
RFQ
IDWD120E65E7XKSA1Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 150A 2.1 V @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 98 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-65EPS16L-M3

VS-65EPS16L-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

184
RFQ
VS-65EPS16L-M3Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 65A 1.17 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
C6D08065E-TR

C6D08065E-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE, 8A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

2,370
RFQ
C6D08065E-TRТехнический паспорт Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065G-TR

C6D08065G-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE, 8A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

2,300
RFQ
C6D08065G-TRТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.4 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C3D08065E-TR

C3D08065E-TR

DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

2,190
RFQ
C3D08065E-TRТехнический паспорт Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
STPSC12065D

STPSC12065D

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

749
RFQ
STPSC12065DТехнический паспорт ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
SDS120J010D3-ISARH

SDS120J010D3-ISARH

DIODE 1200V-10A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J010D3-ISARHТехнический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
BSDD10S65E6

BSDD10S65E6

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

4,995
RFQ
BSDD10S65E6Технический паспорт - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
BSDB10S65E6

BSDB10S65E6

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263

Bourns Inc.

3,170
RFQ
BSDB10S65E6Технический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 -55°C ~ 175°C
BSDL10S65E6

BSDL10S65E6

DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8

Bourns Inc.

2,697
RFQ
BSDL10S65E6Технический паспорт - 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSM1265A

FFSM1265A

DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN

onsemi

2,585
RFQ
FFSM1265AТехнический паспорт - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12.5A 1.75 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 665pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
PSC1065KQ

PSC1065KQ

PSC1065K/SOT8021/TO220-2L

Nexperia USA Inc.

974
RFQ
PSC1065KQТехнический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 175°C
IDWD60E65E7XKSA1

IDWD60E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2

Infineon Technologies

187
RFQ
IDWD60E65E7XKSA1Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 100A 2.1 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 99 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
IDWD75E120D7XKSA1

IDWD75E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 116A TO247

Infineon Technologies

235
RFQ
IDWD75E120D7XKSA1Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 116A 3 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 195 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-3C05ET12S2L-M3

VS-3C05ET12S2L-M3

5A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJM

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

796
RFQ
VS-3C05ET12S2L-M3Технический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 30 µA @ 1200 V 20pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDWD75E65E7XKSA1

IDWD75E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2

Infineon Technologies

210
RFQ
IDWD75E65E7XKSA1Технический паспорт - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 100A 2.1 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 97 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SDS065J012S3-ISARH

SDS065J012S3-ISARH

DIODE 650V-12A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J012S3-ISARHТехнический паспорт Sanan DFN8 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 44A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 36 µA @ 650 V 651pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
PCDP0865GC_T0_00601

PCDP0865GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP0865GC_T0_00601Технический паспорт - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.8 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
APT60D120SG

APT60D120SG

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Microchip Technology

156
RFQ
APT60D120SGТехнический паспорт - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 250 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
FFSB2065B

FFSB2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.8A D2PAK

onsemi

2,178
RFQ
FFSB2065BТехнический паспорт - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.8A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 578579580581582583584585...2381Next»

Обзор категории

Одиночные диоды: продукция и руководство по выбору

Одиночные диоды широко применяются в промышленной автоматизации, автомобильной электронике, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, энергетике и других электронных системах. Мы предлагаем продукцию различных производителей, корпусов и спецификаций для удобного подбора компонентов.

Используйте фильтры по производителю, ключевым параметрам, наличию и документации Datasheet. Если нужная модель не найдена, отправьте запрос, и мы поможем уточнить наличие, срок поставки и возможные аналоги.

FAQ

Как выбрать подходящий Одиночные диоды?

Сначала определите электрические параметры, корпус, рабочую температуру, условия применения и требования к производителю, затем учитывайте наличие и срок поставки.

Можно ли заказать товар по указанному наличию?

Наличие может меняться. Для проектных и оптовых заказов рекомендуем отправить запрос для подтверждения актуального остатка, цены и срока поставки.

Что делать, если нужной модели нет в списке?

Отправьте номер детали и требуемое количество. Мы поможем проверить дефицитные позиции и при необходимости предложим подходящие аналоги.

Предоставляете ли вы Datasheet?

Да. Используйте ссылки Datasheet в списке продукции. Если документ отсутствует, свяжитесь с нами для дополнительной проверки.

Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics