Одиночные диоды

Производители Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

Сбросить всё
Применить всё
Результат
Фото № детали производителя Наличие Цена Количество Технический паспорт Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
1N5400BULK

1N5400BULK

DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

4,000
RFQ
1N5400BULKТехнический паспорт - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 50 V 3A 950 mV @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 50 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
1N5407BULK

1N5407BULK

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

4,000
RFQ
1N5407BULKТехнический паспорт - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 800 V 3A 950 mV @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
RM11A-BULK

RM11A-BULK

DIODE GEN PURP 600V 1.2A D2

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
RM11A-BULKТехнический паспорт - D-2, Axial Bag Active Standard 600 V 1.2A 920 mV @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole D2 -65°C ~ 175°C
RM11B-BULK

RM11B-BULK

DIODE GEN PURP 800V 1.2A D2

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
RM11B-BULKТехнический паспорт - D-2, Axial Bag Active Standard 800 V 1.2A 920 mV @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole D2 -65°C ~ 175°C
1N4005BULK

1N4005BULK

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

7,000
RFQ
1N4005BULKТехнический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 600 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 600 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
HER306T/R

HER306T/R

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
HER306T/RТехнический паспорт - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.7 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
HER305T/R

HER305T/R

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
HER305T/RТехнический паспорт - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
RM11C-BULK

RM11C-BULK

DIODE GEN PURP 1KV 1.2A D2

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
RM11C-BULKТехнический паспорт - D-2, Axial Bag Active Standard 1000 V 1.2A 920 mV @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole D2 -65°C ~ 175°C
FR101BULK

FR101BULK

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

39,000
RFQ
FR101BULKТехнический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 50 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 50 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
FR102BULK

FR102BULK

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

38,000
RFQ
FR102BULKТехнический паспорт - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 100 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 100 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
Total 159 Record«Prev1... 7891011121314...16Next»
Masstock Electronics

Поиск

Masstock Electronics

Товары

Masstock Electronics

Телефон

Masstock Electronics

Пользователь

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics